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专利号: 2018115300242
申请人: 电子科技大学
专利类型:发明专利
专利状态:无效专利
更新日期:2025-12-17
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种Co-Sn-Ta基微波介质陶瓷材料,其特征在于:

为Co0.5Sn0.5TaO4微波介质陶瓷材料,晶体结构为Trirutile相,预烧温度850℃-1000℃,烧结温度1250-1350℃,介电常数15-20,损耗介于4.81×10-4-6.02×10-4,谐振频率温度稳定系数-2.65~-0.59ppm/℃;

其原料组成为Co2O3、SnO2和Ta2O5,化学通式Co0.5Sn0.5TaO4,通过固相法制得。

2.如权利要求1所述Co-Sn-Ta基微波介质陶瓷材料的制备方法具体如下:

步骤1:将氧化钴(Co2O3)、氧化锡(SnO2)和氧化钽(Ta2O5)的原始粉末按照化学通式Co0.5Sn0.5TaO4配料;

步骤2:将步骤1所得配料:氧化锆球:去离子水,以质量比1:4-6:3-6配比,行星球磨6-8小时,然后在80℃-120℃下烘干,再以60-200目筛网过筛,最后在850℃-1000℃大气氛围中预烧3-5小时合成主晶相Co0.5Sn0.5TaO4;

步骤3:将步骤2所得粉料按照粉料:氧化锆球:去离子水质量比1:3-5:2-4,行星球磨混合4-6小时,然后在80℃-100℃下烘干,烘干后添加质量百分比为2~5%的PVA溶液作为粘结剂造粒,压制成型,最后在1250℃-1350℃大气气氛中烧结4-6小时,制成Co0.5Sn0.5TaO4微波介质陶瓷材料。