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专利号: 2018115262109
申请人: 山东师范大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
更新日期:2026-08-04
缴费截止日期: 暂无
联系人

摘要:

权利要求书:

1.一种石墨烯/金/D型塑料光纤SPR传感器,其特征在于:所述传感器由D形塑料纤维、石墨烯和金膜组成,所述D形塑料纤维上开设有凹槽状的传感区,金膜设置在该传感区中,所述石墨烯设置在金膜表面。

2.如权利要求1所述石墨烯/金/D型塑料光纤SPR传感器,其特征在于:所述塑料光纤的材质为PMMA,优选地,所述塑料光纤传感区长度为1-2cm,深度为纤维直径的20-50%。

3.如权利要求1所述石墨烯/金/D型塑料光纤SPR传感器,其特征在于:所述金膜厚度为

40-60nm。

4.如权利要求1-3任一项所述石墨烯/金/D型塑料光纤SPR传感器,其特征在于:所述石墨烯的层数为1-3层。

5.一种石墨烯/金/D型塑料光纤SPR传感器的制备方法,其特征在于:包括如下步骤:((1)在塑料光纤上开设有凹槽状的传感区,制备成D形光纤;

(2)用化学气相沉积法在铜箔上生长石墨烯,利用热蒸镀的方法将金直接蒸镀到石墨烯上,得到金/石墨烯/铜箔复合层;

(3)去除金/石墨烯/铜箔复合层中的铜箔,转移到去离子水中清洗,得到的石墨烯/金,然后转移到D型光纤上,即得石墨烯/金/D型光纤。

6.如权利要求5所述石墨烯/金膜/D型塑料光纤SPR传感器的制备方法,其特征在于:步骤(1)中,所述传感区长度为1-3cm,深度为纤维直径的20-50%。

7.如权利要求5所述石墨烯/金膜/D型塑料光纤SPR传感器的制备方法,其特征在于:步骤(2)中,所述石墨烯通过化学气相沉积法在铜箔上生长。

8.如权利要求5所述石墨烯/金膜/D型塑料光纤SPR传感器的制备方法,其特征在于:步骤(2)中,所述将金直接蒸镀到石墨烯上的方法为:将高纯金丝放入钼舟中,并且将铜箔上生长的石墨烯放置在钼舟的顶部,真空抽到10-3pa,加热到110°,金丝均匀蒸发到石墨烯上,得到金/石墨烯/铜箔。

9.如权利要求5所述石墨烯/金膜/D型塑料光纤SPR传感器的制备方法,其特征在于:步骤(2)中,将石墨烯/金转移到光纤上的方法为:用D型塑料光纤的传感区域向下翻转,对准暴露在外侧的金膜,反向将复合膜捞取,让石墨烯膜在上,即得。

10.如权利要求1-4任一项所述石墨烯/金膜/D型塑料光纤SPR传感器和/或如权利要求

5-9任一项所述石墨烯/金膜/D型塑料光纤SPR传感器的制备方法在生物检测领域中的应用。