1.一种常压多层CVD反应器，包括用于放置镀件(10)并供镀件(10)在内进行气相反应的炉体(1)，所述炉体(1)内设有进气管(2)和排气管(3)，其特征在于：所述进气管(2)左右横向放置并沿上下方向设有多个，上下相邻两个所述进气管(2)之间形成用于放置镀件(10)的反应层(4)，并且上下进气管(2)上相对镀件(10)的位置分别设有一组朝向镀件(10)的进气口(21)，所述进气管(2)的前后两侧分别设有排气管(3)，所述排气管(3)纵向设置，所述排气管(3)上与每个反应层(4)相对的位置处分别设有一组排气口(31)，所述炉体(1)内还设有用于分别给每个反应层(4)加热的加热装置，所述常压多层CVD反应器还包括用于与每个镀件(10)电连接并向镀件(10)加载电磁场的磁场发生装置，每个所述进气管(2)上沿左右方向设有多组分别对应多个镀件(10)的进气口(21)，位于所述进气管(2)前后两侧的排气管(3)各设有一排，每排的排气管(3)有多个，每个镀件(10)的周围均设有4个排气管(3)，其中两个排气管(3)位于前排，另外两个排气管(3)位于后排，每组所述进气口(21)有三个并呈朝外散开状斜向镀件(10)。

2.根据权利要求1所述的一种常压多层CVD反应器，其特征在于：所述加热装置包括与外部温控系统电连接的加热棒(5)，每个所述进气管(2)的前后两侧均设有加热棒(5)，所述加热棒(5)平行于进气管(2)放置于镀件(10)上方或者下方。

3.根据权利要求1所述的一种常压多层CVD反应器，其特征在于：所述进气管(2)沿前后方向设有n排，所述排气管(3)沿前后方向设有m排，其中n，m为正整数。

4.根据权利要求1所述的一种常压多层CVD反应器，其特征在于：同排的所述进气管(2)的一端设有同时与各个进气管(2)相连通并与外部供气设备连接的供气总管(6)，同排的所述排气管(3)的一端设有同时与各个排气管(3)相连通并与外部排气设备连接的排气总管(7)。

5.根据权利要求1所述的一种常压多层CVD反应器，其特征在于：每组所述排气口(31)有多个并绕排气管(3)的轴线均匀排列。

6.根据权利要求1所述的一种常压多层CVD反应器，其特征在于：所述排气口(31)位于上下相邻两个进气管(2)的中间位置。

7.根据权利要求1所述的一种常压多层CVD反应器，其特征在于：三个所述进气口(21)相互之间呈120度均匀分布。

8.根据权利要求7所述的一种常压多层CVD反应器，其特征在于：所述进气口(21)与水平面的夹角为45度。