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专利号: 2018114869010
申请人: 湖北科技学院
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 测量;测试
更新日期:2024-10-29
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种基于光束空间古斯-汉森位移的高灵敏度角度位移传感器,其特征在于,制作方法为:首先在光子晶体中加入缺陷,并在缺陷中引入增益和损耗,构成非厄米光子系统;然后调制缺陷层中的增益-损耗因子和光束的入射角,找到EPs和CPA激光点;在这些点附近,得到的空间GH位移与光的入射角度程函数关系,通过反射光束的空间GH位移获得入射光束的角度偏转;最后制作高灵敏度角度位移传感器。

2.根据权利要求1所述的基于光束空间古斯-汉森位移的高灵敏度角度位移传感器,其N N特征在于:在光子晶体中加入缺陷后结构为(AB) ACA(BA) ,其中A、B为电介质,C为缺陷电介质,N为布拉格周期数。

3.根据权利要求2所述的基于光束空间古斯-汉森位移的高灵敏度角度位移传感器,其特征在于:电介质A、B和C的折射率分别为na=2.2,nb=1.8和nc=1.8+iq,q叫增益-损耗因子。

4.根据权利要求2所述的基于光束空间古斯-汉森位移的高灵敏度角度位移传感器,其特征在于:电介质A、B和C的厚度分别为:0.2,0.2,0.4μm;布拉格周期数N=6。

5.根据权利要求2-4任意一项所述的基于光束空间古斯-汉森位移的高灵敏度角度位移传感器,其特征在于:所述在光子晶体中加入缺陷,具体实现包括以下步骤:步骤1:制作基质材料二氧化硅SiO2;

步骤2:在基质材料中掺杂二氧化锗GeO2,制备电介质A,并以周期性排列形成光栅;

步骤3:再掺杂三氧化二硼B2O3,形成电介质B和C,并以周期性排列形成(AB)NACA(BA)N结构,其中N=6;

步骤4:在C中掺杂活性介质铒离子。