1.包覆导电聚合物和氧化石墨烯的硫硒化合物，其中，所述硫硒化合物的外层包覆有导电聚合物，导电聚合物外层包覆有氧化石墨烯。

2.根据权利要求1所述的硫硒化合物，其特征在于，所述的导电聚合物为聚噻吩、聚苯胺或聚吡咯中的一种或两种以上；所述硫硒化合物为硫化硒。

3.根据权利要求2所述的硫硒化合物，其特征在于，所述的聚噻吩以3,4-乙烯二氧噻吩作为单体；所述聚苯胺以苯胺作为单体；所述聚吡咯以吡咯作为单体。

4.一种硫化硒电池正极片，包含集流体以及涂覆在集流体上的权利要求1、2或3所述的包覆导电聚合物和氧化石墨烯的硫硒化合物涂层。

5.根据权利要求4所述的正极片，其特征在于：所述涂层该包含导电剂和粘结剂，包覆导电聚合物和氧化石墨烯的硫硒化合物、导电剂和粘结剂的质量比7～8:1～2:1。

6.根据权利要求4所述的正极片，其特征在于：所述的导电剂是乙炔黑、科琴黑、导电炭黑或石墨烯中的一种或两种以上。

7.根据权利要求4所述的正极片，其特征在于：所述的粘结剂为β-羰基环糊精、聚偏氟乙烯、梭甲基纤维素钠、聚丙烯酸以及环氧树脂中的一种或几种。

8.一种权利要求1、2或3所述的包覆导电聚合物和氧化石墨烯的硫硒化合物的制备方法，包括如下步骤：步骤(1)：将亚硒酸盐和硫化盐按照摩尔比为1:1～3:1在水中混合，水中含有表面活性剂，表面活性剂浓度为2g/mL～4g/mL，调节pH值至2～3，反应12h～24h，离心得到不溶物即硫化硒；所述表面活性剂为聚乙烯吡咯烷酮、十六烷基三甲基溴化铵或十二烷基苯磺酸钙中的一种或几种；

步骤(2)：将步骤(1)中得到的硫化硒配置成悬浊液，浓度为0.6mg/mL～2mg/mL，在硫化硒外层包覆导电聚合物，得到的包覆有导电聚合物的硫化硒；

步骤(3)：将步骤(2)中包覆有导电聚合物的硫化硒与氧化石墨烯按硫化硒与氧化石墨烯质量比为:10:1～20:1在溶液中混合，搅拌2h～12h，离心烘干即得包覆导电聚合物和氧化石墨烯的硫硒化合物。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于：步骤(2)中所述在硫化硒外层制备导电聚合物具体为：a、在硫化硒悬浊液中顺序加入终浓度11～23mmol/L的3,4-乙烯二氧噻吩、终浓度5～

10mmol/L樟脑磺酸、终浓度26～50mmol/L过硫酸铵，反应12h～24h后即得聚噻吩包覆的硫硒化合物；或者b、在硫化硒悬浊液中顺序加入终浓度13～26mmol/L苯胺、终浓度70～150mmol/L浓盐酸、终浓度8～13mmol/L过硫酸铵，反应12h～24h后即得聚噻吩包覆的硫硒化合物；或者c、在硫化硒悬浊液中顺序加入终浓度14～28mmol/L吡咯、终浓度9～18mmol/L三氯化铁、终浓度0.7～1.4mmol/L十二烷基硫酸钠，反应12h～24h后即得聚吡咯包覆的硫硒化合物。