1.一种高速开关二极管芯片的生产工艺，其特征在于，包括以下步骤：一次氧化，在外延层表面生成第一氧化层；

扩散区光刻，根据扩散区面积要求光刻环形隔断槽，进行扩散区扩散；

二次氧化，在第一氧化层上表面生成第二氧化层；

引线孔光刻，在第二氧化层上光刻引线孔；

蒸金，在衬底层下表面进行蒸金，进行金扩散；

蒸铝，在第二氧化层上表面进行蒸铝，得到蒸铝层；

铝反刻，去除第二氧化层上部位于光刻引线孔以外区域的蒸铝层；

钝化，得到芯片上表面的钝化层；

刻蚀铝电极，将蒸铝层以外区域的钝化层去除，得到铝电极；

所述蒸金工艺参数为：温度1040℃～1055℃，氮气流量3～4L/min，时间25～35min；

磨片磨头速度10～25μm/min，磨片厚度250～310μm。

2.一种高速开关二极管芯片，基于如权利要求1所述的一种高速开关二极管芯片的生产工艺，其特征在于，所述芯片横截面为圆形，包括：衬底，所述衬底上表面生长有外延层；所述外延层上表面为第一氧化层，所述第一氧化层上光刻环形隔断槽，所述隔断槽内为扩散区，所述隔断槽外为截断环；

所述第一氧化层上表面为第二氧化层，所述第二氧化层上光刻引线孔；

所述光刻引线孔内延伸至第二氧化层上表面设有蒸铝层。

3.如权利要求2所述的一种高速开关二极管芯片，其特征在于，所述衬底的材料选择＜

111＞为晶向，电阻率为0.006Ω·cm～0.008Ω·cm的低阻硅单晶片。

4.如权利要求2所述的一种高速开关二极管芯片，其特征在于，所述外延层的材料选择

15 3

生长有厚度8μm～12μm、掺杂浓度Nc＝1.7～1.8×10 /cm外延层的硅晶片。

5.如权利要求2所述的一种高速开关二极管芯片，其特征在于，所述的扩散结深最大为

3μm。

6.如权利要求2所述的一种高速开关二极管芯片，其特征在于，所述衬底下表面设有蒸金层。

7.如权利要求2所述的一种高速开关二极管芯片，其特征在于，所述芯片上表面围绕蒸铝层还设有钝化层。

8.如权利要求2所述的一种高速开关二极管芯片，其特征在于，所述第一氧化层和第二氧化层为二氧化硅层；所述钝化层为二氧化硅/四氮化三硅混合层。

9.如权利要求7所述的一种高速开关二极管芯片，其特征在于，所述芯片的横向版图

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上，扩散区面积不大于1.33×10μm；所述蒸铝层未被钝化层覆盖的区域为键合区，面积不2

小于7850μm。

10.如权利要求9所述的一种高速开关二极管芯片，其特征在于，所述版图最大线宽1μm。