1.一种像素单元电路，其特征在于，包括：

光电二极管；

传输晶体管，所述传输晶体管的源级与所述光电二极管连接，所述传输晶体管的漏极与浮空扩散点连接；

源跟随晶体管，所述源跟随晶体管的栅极与浮空扩散点连接，所述源跟随晶体管的漏极与电源线连接；

选择晶体管，所述选择晶体管的漏极与所述源跟随晶体管的源级连接，所述选择晶体管的源级适于输出列信号；

电容，所述电容的一端与所述源跟随晶体管的源级以及所述选择晶体管的漏极连接。

2.根据权利要求1所述的像素单元电路，其特征在于，所述电容包括：相对的第一电容端和第二电容端，所述第一电容端与所述源跟随晶体管的源级以及所述选择晶体管的漏极连接，所述第二电容端接地。

3.根据权利要求1所述的像素单元电路，其特征在于，所述源跟随晶体管的源级和所述选择晶体管的漏极的连接点具有PN结寄生电容；所述电容的电容值为所述PN结寄生电容的电容值的1倍至2倍。

4.根据权利要求1所述的像素单元电路，其特征在于，还包括：复位晶体管，所述复位晶体管的源极与所述浮空扩散点连接，所述复位晶体管的漏极与电源线连接；列读出线，所述列读出线与所述选择晶体管的源级连接。

5.一种像素单元结构，其特征在于，包括：

基底；

位于所述基底中的光电二极管；

位于所述基底上的传输栅极结构；

分别位于所述传输栅极结构两侧的传输源区和浮空扩散区，所述传输源区与所述光电二极管连接；

位于所述基底上的源跟随栅极结构，所述源跟随栅极结构与所述浮空扩散区电学连接；

分别位于所述源跟随栅极结构两侧基底中的源跟随源区和源跟随漏区，所述源跟随漏区适于与电源线电学连接；

位于所述基底上的选择栅极结构；

分别位于所述选择栅极结构两侧基底中的选择源区和选择漏区，所述选择漏区与所述源跟随源区连接，所述选择源区适于输出列信号；

位于所述基底上的电容，所述电容与所述源跟随源区以及所述选择漏区电学连接。

6.根据权利要求5所述的像素单元结构，其特征在于，所述源跟随源区和所述选择漏区重合；所述源跟随源区和所述选择漏区与基底之间具有PN结寄生电容；所述电容的电容值为所述PN结寄生电容的电容值的1倍至2倍。

7.根据权利要求5所述的像素单元结构，其特征在于，所述电容包括：第一导电层，所述第一导电层与所述源跟随源区以及所述选择漏区电学连接；与所述第一导电层相对的第二导电层，所述第二导电层适于与地线电学连接，且第二导电层分别与所述源跟随源区以及所述选择漏区电学断开；位于第一导电层和第二导电层之间的电容介质层。

8.根据权利要求7所述的像素单元结构，其特征在于，所述第一导电层与所述第二导电层均为插塞结构。

9.根据权利要求8所述的像素单元结构，其特征在于，所述源跟随源区和所述选择漏区重合；所述第一导电层和所述第二导电层的延伸方向均垂直于所述基底表面；所述第一导电层与所述源跟随源区接触。

10.根据权利要求7所述的像素单元结构，其特征在于，所述源跟随源区和所述选择漏区重合；所述像素单元结构还包括：位于所述基底上的连接插塞，所述连接插塞的两端分别与所述源跟随源区和第一导电层连接。

11.根据权利要求10所述的像素单元结构，其特征在于，所述连接插塞的延伸方向垂直于所述基底表面；所述第一导电层和第二导电层均与所述基底表面平行。

12.根据权利要求5所述的像素单元结构，其特征在于，还包括：位于所述基底上的复位栅极结构；位于所述复位栅极结构一侧基底中的复位漏区，所述复位漏区适于与电源线电学连接；所述浮空扩散区位于所述复位栅极结构另一侧的基底中。

13.一种如权利要求5至12任意一项所述像素单元结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底；

在所述基底中形成光电二极管；

在所述基底上形成传输栅极结构、源跟随栅极结构和选择栅极结构；

在所述传输栅极结构两侧的基底中分别形成传输源区和浮空扩散区，所述传输源区与所述光电二极管连接，所述浮空扩散区与所述源跟随栅极结构电学连接；

在所述源跟随栅极结构两侧的基底中分别形成源跟随源区和源跟随漏区，所述源跟随漏区适于与电源线电学连接；

在所述选择栅极结构两侧的基底中分别形成选择源区和选择漏区，所述选择漏区与所述源跟随源区连接，所述选择源区适于输出列信号；

在所述基底上形成电容，所述电容与所述源跟随源区以及所述选择漏区电学连接。

14.根据权利要求13所述的像素单元结构的形成方法，其特征在于，还包括：在所述基底上形成介质层，所述介质层覆盖光电二极管、传输栅极结构、源跟随栅极结构和选择栅极结构；

形成所述电容的方法包括：在所述介质层中形成第一导电层和第二导电层，所述第一导电层与所述源跟随源区以及所述选择漏区电学连接，所述第二导电层适于接地；第一导电层和第二导电层之间的介质层构成电容介质层。