1.一种具有高隔离度的双极化/圆极化宽带高密度阵列天线，其特征在于：包括两方形辐射贴片(1)/圆形辐射贴片(1’)，置于两辐射贴片之间正上方的悬置混合型互耦抑制结构(2)(3)/(2’)(3’)以及寄生耦合的地板(4)/(4’)，所述悬置混合型互耦抑制结构由位于不同竖直高度的曲折型条带和H型条带构成，曲折型条带(2)/(2’)所在的介质基板下表面与H型条带(3)/(3’)之间形成空气层(5)/(5’)，两个结构之间相互垂直，设置位于两辐射贴片之间正上方。所述悬置混合型互耦抑制结构中的曲折型条带(2)/(2’)由枝节I(11)/(11’)和枝节II(12)/(12’)构成，枝节I和枝节II之间具有一定的间距，所述枝节I的头部垂直向下弯折形成第一弯折部(13)/(13’)，所述枝节I的中部垂直向下弯折形成第二弯折部(14)/(14’)，所述枝节I的尾部垂直向下弯折形成第三弯折部(15)/(15’)，所述枝节II与枝节I呈镜像对称。

2.根据权利要求1所述的具有高隔离度的双极化/圆极化宽带高密度阵列天线，其特征在于：该阵列天线还包括悬置混合型互耦抑制结构所在的两层介质基板、两辐射贴片所在的一层介质基板、多层印刷电路板(9)/(9’)和下层金属载板，所述悬置混合型互耦抑制结构所在的两层介质基板之间形成空气层(5)；两辐射贴片(1)/(1’)与悬置混合型互耦抑制结构(3)/(3’)所在的介质基板之间形成空气层(6)/(6’)；两辐射贴片(1)/(1’)所在的介质基板下表面与多层印刷电路板间形成空气层(7)/(7’)；所述寄生耦合的地板(4)/(4’)设置于多层印刷电路板的上层介质板上表面，寄生耦合地板通过金属柱与多层印刷电路板的下层地板连接，下层地板位于多层印刷电路板的下层介质板的下表面；所述寄生耦合地板上还设置有位于辐射贴片下方的沟槽结构。

3.根据权利要求1所述的具有高隔离度的双极化/圆极化宽带高密度阵列天线，其特征在于：所述悬置混合型互耦抑制结构由曲折型条带(2)/(2’)和H型条带(3)/(3’)构成，所述曲折型条带(2)/(2’)和H型条带(3)/(3’)位于不同的竖直高度，曲折型条带(2)/(2’)所在的介质基板下表面与H型条带(3)/(3’)之间形成空气层(5)/(5’)，两个结构之间相互垂直设置，均位于两辐射贴片(1)/(1’)之间正上方。

4.根据权利要求3所述的具有高隔离度的双极化/圆极化宽带高密度阵列天线，其特征在于：所述悬置混合型互耦抑制结构中的曲折型条带(2)/(2’)耦合抑制单元包括介质基板I(10)/(10’)和设置于介质基板I两侧的枝节I(11)/(11’)和枝节II(12)/(12’)，枝节I和枝节II之间具有一定的间距，所述枝节I的头部垂直向下弯折形成第一弯折部(13)/(13’)，所述枝节I的中部垂直向下弯折形成第二弯折部(14)/(14’)，所述枝节I的尾部垂直向下弯折形成第三弯折部(15)/(15’)，所述枝节II与枝节I呈镜像对称。

5.根据权利要求3所述的具有高隔离度的双极化/圆极化宽带高密度阵列天线，其特征在于：所述悬置混合型互耦抑制结构中的H型条带(3)/(3’)耦合抑制单元包括介质基板II(16)/(16’)和对称设置于介质基板II两侧的枝节III(17)/(17’)和枝节IV(18)/(18’)，所述枝节I枝节II平行设置且由枝节V(19)/(19’)将枝节III和枝节IV中心横向连接起来，最终形成H型字样的互耦抑制结构。

6.根据权利要求2所述的具有高隔离度的双极化/圆极化宽带高密度阵列天线，其特征在于：所述多层印刷电路板(9)/(9’)上层介质基板与下层介质基板通过半固化片粘结组合而成；上下两介质板之间设置有微带馈线(8)/相位相差90°的微带馈线(8’)，所述微带馈线通过穿过下层金属载板的SMP连接器内芯进行馈电。