1.一种限域合成二硫化钨@C复合电极材料的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一：将二水合钨酸钠加入去离子水中搅拌至溶解形成溶液A，然后加入葡萄糖和PVP，混合均匀，调节pH值为1.3～1.7，在150～180℃下水热反应12～24h，洗涤，干燥，得到WO3@C粉体；

步骤二：按摩尔比1:(10～30)，将WO3@C与硫脲混合后在氩气气氛下煅烧得到WS2@C复合材料。

2.根据权利要求1所述的一种限域合成二硫化钨@C复合电极材料的方法，其特征在于，二水合钨酸钠与去离子水的比为0.618～1.65g：25mL。

3.根据权利要求1所述的一种限域合成二硫化钨@C复合电极材料的方法，其特征在于，二水合钨酸钠与葡萄糖的质量比为0.618～1.65：0.168～0.45g，二水合钨酸钠与PVP的质量比为10:(1～3)。

4.根据权利要求1所述的一种限域合成二硫化钨@C复合电极材料的方法，其特征在于，搅拌的速度为400～600r/min，搅拌的时间0.1～1h。

5.根据权利要求1所述的一种限域合成二硫化钨@C复合电极材料的方法，其特征在于，采用1～4mol/L的盐酸调节pH值为1.3～1.7。

6.根据权利要求1所述的一种限域合成二硫化钨@C复合电极材料的方法，其特征在于，煅烧的温度为700～900℃，时间为1～3h。

7.根据权利要求1所述的一种限域合成二硫化钨@C复合电极材料的方法，其特征在于，煅烧是在低温管式炉中进行。