1.一种H-3碳化硅PN型同位素电池，其特征在于，包括N型导通型SiC衬底(1)、N型SiC外延层(2)、P型SiC外延层(3)、SiO2钝化层(4)、P型SiC欧姆接触掺杂区(5)、P型欧姆接触电极(6)、N型欧姆接触电极(7)和H-3放射性同位素源(8)；衬底(1)下方设置N型欧姆接触电极(7)，衬底上部设置N型SiC外延层(2)，N型SiC外延层(2)上部设置P型SiC外延层(3)，P型SiC欧姆接触掺杂区(5)和SiO2钝化层(4)相邻设置在P型SiC外延层(3)的上表面，在P型SiC欧姆接触掺杂区(5)的正上方设置P型欧姆接触电极(6)，在SiO2钝化层(4)的正上方设置H-3放射性同位素源(8)。

2.根据权利要求1所述的一种H-3碳化硅PN型同位素电池，其特征在于，N型SiC外延层(2)和P型SiC外延层(3)的总厚度为0.8μm～2.0μm。

3.根据权利要求1所述的一种H-3碳化硅PN型同位素电池，其特征在于，P型SiC外延层(3)的厚度为0.05μm～0.20μm。

4.根据权利要求3所述的一种H-3碳化硅PN型同位素电池，其特征在于，P型SiC外延层(3)的掺杂浓度为1×1014cm-3～1×1017cm-3。

5.根据权利要求2所述的一种H-3碳化硅PN型同位素电池，其特征在于，N型SiC外延层(2)的掺杂浓度为1×1017cm-3～1×1018cm-3。

6.根据权利要求1所述的一种H-3碳化硅PN型同位素电池，其特征在于，P型SiC欧姆接触掺杂区(5)的掺杂浓度为5×1018cm-3～2×1019cm-3；厚度为0.20μm～0.50μm。

7.根据权利要求1所述的一种H-3碳化硅PN型同位素电池，其特征在于，SiO2钝化层(4)的厚度为5nm～20nm。

8.一种H-3碳化硅PN型同位素电池的制造方法，其特征在于，基于权利要求1至7所述的一种H-3碳化硅PN型同位素电池，包括以下步骤：步骤一、提供由N型掺杂SiC基片构成的衬底(1)；

步骤二、采用化学气相沉积法在步骤一所述衬底的上表面上外延生长掺杂浓度为1×

1017cm-3～1×1018cm-3、厚度为0.75μm～1.8μm的N型SiC外延层(2)；

步骤三、采用化学气相沉积法在所述N型SiC外延层(2)的上表面上外延生长掺杂浓度为1×1014cm-3～1×1017cm-3、厚度为0.05μm～0.20μm的P型SiC外延层(3)；

步骤四、采用化学气相沉积法在所述P型SiC外延层(3)的上表面上外延生长掺杂浓度为5×1018cm-3～2×1019cm-3、厚度为0.2μm～0.5μm的P型SiC欧姆接触掺杂区(5)；

步骤五、采用反应离子刻蚀法刻蚀掉部分P型SiC欧姆接触掺杂区(5)；露出P型SiC外延层(3)；

步骤六、采用干氧氧化在P型SiC欧姆接触掺杂区(5)表面和P型SiC外延层(3)的表面形成氧化层；采用湿法腐蚀去除掉氧化层；

步骤七、采用干氧氧化在所述P型SiC外延层(3)的上表面P型SiC欧姆接触掺杂区(5)以外的区域形成厚度为5nm～20nm厚的SiO2钝化层(4)；

步骤八、在P型SiC欧姆接触掺杂区(5)的上方依次淀积厚度为200nm～400nm的金属Ni和厚度为100～200nm的金属Pt；

步骤九、在衬底(1)的下方依次淀积厚度为200nm～400nm的金属Ni和厚度为100～

200nm的金属Pt；

步骤十、在N2气氛下进行温度为950℃～1050℃的热退火2分钟，在P型SiC欧姆接触掺杂区(5)的上方形成P型欧姆接触电极(6)；在所述衬底(1)的下方形成N型欧姆接触电极(7)；

步骤十一、在所述SiO2钝化层(4)顶部设置有H-3放射性同位素源(8)。