1.一种具有高可靠性的交直流供电装置，包括直流电源(1)、直流滤波电感L1(2)、直流电容C1(3)、二极管D1(4)、Buck变换器(5)、全桥逆变器(7)，其特征在于：所述直流电源(1)的正极连接到滤波电感L1(2)的一端，所述滤波电感L1(2)另外一端连接到直流电容(3)的一端和全桥逆变器(7)的一端，所述直流电容(3)和二极管D1(4)串联，所述直流电容(3)的两端输出连接到Buck变换器(5)，所述Buck变换器(5)输出端连接到直流负载(6)，所述直流电容(3)和二极管D1(4)串联电路两端的输出端连接到全桥逆变器(7)的两个输入端，所述全桥逆变器(7)的输出端连接到交流负载(8)；所述直流电容C1(3)的另一端与二极管D1(4)的正极相连，二极管D1(4)的负极与直流电源(1)的负极相连；所述Buck变换器(5)包括1个功率三极开关管S0，1个二极管D2，1个电感L2，1个电容C2，功率三极开关管S0两端反并联一个二极管，功率三极开关管S0的集电极与所述直流电容C1(3)的一端相连，功率三极开关管S0的发射极与二极管D2的负极和电感L2一端相连，二极管D2的正极与所述直流电容C1(3)的另一端相连，电感L2的另一端与电容C2的一端和所述直流负载(6)的一端相连，电容C2的另一端与所述直流负载(6)的另一端和二极管D2的正极相连。

2.根据权利要求1所述的高可靠性的交直流供电装置，其特征在于，所述直流电容C1(3)为薄膜电容，所述功率三极开关管S0的具体类型是IGBT或者MOSFET。

3.根据权利要求1所述的高可靠性的交直流供电装置，其特征在于，所述全桥逆变器(7)包括4个功率三极开关管S1、S2、S3和S4；一个电感L3，一个电容C3，功率三极开关管S1、S2、S3和S4两端各反并联一个二极管，S1的发射极与S3的集电极和电感L3的一端相连，S1和S2的集电极与所述直流电容C1(3)一端相连，S3和S4的发射极与所述二极管D1(4)的负极相连，S2的发射极和S4的集电极与电容C3的一端和交流负载的一端相连，电感L3的另一端与电容C3的另一端和交流负载的另一端相连，S2的发射极和S4的集电极相连，S1的发射极和S3的集电极相连。

4.根据权利要求3所述的高可靠性的交直流供电装置，其特征在于，所述功率三极开关管S1-S4的具体类型是IGBT或者MOSFET。

5.根据权利要求3所述的高可靠性的交直流供电装置，其特征在于，所述全桥逆变器(7)有直通状态和非直通状态，直通状态包括：S1和S3同时导通，S2和S4同时导通，或者S1、S2、S3、S4同时导通；非直通状态包括：当电容C3两端输出的交流输出电压vac为正时，开关S1和S4同时导通，当交流输出电压vac为负时，开关S2和S3同时导通，给交流负载(8)供电；作为导通开关的S1和S2或者S3和S4，输出零矢量。