1.一种降压斩波电路，其特征在于，包括第一电感、第二电感、第一电容、第二电容、开关及单向导通模块，其中：所述第一电感的第一端与电源的正端连接，所述第一电感的第二端分别与所述第一电容的第一端、所述第二电感的第一端及负载的一端连接，所述第一电容的第二端分别与所述开关的第一端、所述单向导通模块的正端及所述负载的另一端连接，所述第二电感的第二端分别与所述第二电容的第一端及所述单向导通模块的负端连接，所述第二电容的第二端分别与所述开关的第二端及所述电源的负端连接。

2.如权利要求1所述的降压斩波电路，其特征在于，所述单向导通模块为二极管。

3.如权利要求1或2所述的降压斩波电路，其特征在于，所述开关为单个NMOS。

4.如权利要求1或2所述的降压斩波电路，其特征在于，所述开关由多个NMOS串并联后构成。

5.如权利要求1或2所述的降压斩波电路，其特征在于，所述开关为单个IGBT。

6.如权利要求1或2所述的降压斩波电路，其特征在于，所述开关为由多个IGBT串并联后构成。