1.一种射频能量收集系统，其特征在于：包括射频天线、控制电路、匹配升压网络、RF-DC整流器、自启动电路、迟滞电压比较器、VDD端能量存储单元、VL端能量存储单元、开关SL、电压检测电路、VST端备用能量存储单元、第一能量转换电路、第二能量转换电路、LDO稳压电路和基准电流源及参考电压产生电路；

所述射频天线将接收到的射频能转化为交流电VRF输入到匹配升压网络中，匹配升压网络的输出信号VM接RF-DC整流器的输入端，RF-DC整流器的输出信号VR接自启动电路的输入端和开关SL的一端，自启动电路的VDD电压输出端接VDD端能量存储单元和迟滞电压比较器的一个输入端，自启动电路的输出信号UVLO接入控制电路和第一能量转换电路；

开关SL的另一端接VL端能量存储单元的输入端，VL端能量存储单元的电压输出端接第二能量转换电路的一个输入端和LDO稳压电路的输入端，电压检测电路对VL端能量存储单元输出的电压进行检测，电压检测电路的检测信号VDVL接入控制电路和第二能量转换电路的另一个输入端，第二能量转换电路的输出信号VST接VST端备用能量存储单元的输入端和迟滞电压比较器的另一个输入端，VST端备用能量存储单元的输出信号接入第一能量转换电路；迟滞电压比较器的输出信号VCM接入第一能量转换电路和控制电路，第一能量转换电路的输出信号接第一能量存储单元；基准电流源及参考电压产生电路向LDO稳压电路提供参考电压VREF，同时为各个电路提供偏置电流IREF；控制电路产生稳定的开关信号。

2.根据权利要求1所述的射频能量收集系统，其特征在于：所述RF-DC整流器包括第零NMOS管M0、第一～九PMOS管M1～M9和第零～九电容C0～C9；

输入信号VM接C0、C2、C4、C6和C8的一端，输出信号VR接M9的漏极和C9的一端，M0～M9的衬底均与自身的漏极相连，M0的漏极和M1的栅极接地，M0的源极连接M1的源极、C0的另一端和M2的栅极，M1的漏极连接M0的栅极、电容C1的一端、M2的源极和M3的栅极，M2的漏极连接M3的源极、C2的另一端和M4的栅极，M3的漏极连接M4的源极、C3的一端和M5的栅极，M4的漏极连接M5的源极、C4的另一端和M6的栅极，M5的漏极连接M6的源极、C5的一端和M7的栅极，M6的漏极连接M7的源极、C6的另一端和M8的栅极，M7的漏极连接M8的源极和C7的一端，M8的漏极连接M9的源极和C8的另一端，M9的栅极连接自身的漏极，C1、C3、C5、C7、C9的另一端均接地。

3.根据权利要求1所述的射频能量收集系统，其特征在于：所述自启动电路包括最大电压选择电路、第十电容C10、第一反相器、第二反相器、第十～二十一PMOS管M10～M21、第二十二～二十六NMOS管M22～M26；

输入信号VR连接M21的源极和最大电压选择电路的一端，输出电压VDD连接M26的源极和C10的一端，C10的另一端接地，M10～M17的衬底彼此相连后接入VDD电压，M10的源极接入VDD电压，M10的漏极连接M11的源极，M11的漏极连接M12的源极，M12的漏极连接M13的源极，M13的漏极连接M14的源极，M14的漏极连接M15的源极，M15的漏极连接M16的源极，M16的漏极连接M17的源极，M17的漏极接地，M10和M11的栅极与自身的漏极相连，M12的栅极连接M13的漏极，M13的栅极连接M14的栅极和漏极，M14的漏极连接M22～M25的栅极，M15～M17的栅极相连后接地，M20的栅极、衬底与源极接入VDD电压，M22～M25的衬底接地，M22的漏极连接M19的漏极、M20的漏极、M24的漏极和第一反相器的输入端，M22的源极连接M23的漏极，M24的源极连接M25的漏极，M23和M25的源极接地，第一反相器的输出端连接第二反相器的输入端，第二反相器的输出端连接M26的栅极，M21的栅漏极连接M26的漏极和最大电压选择电路的另一端，M21的衬底连接最大电压选择电路的输出端。

4.根据权利要求1所述的射频能量收集系统，其特征在于：所述迟滞电压比较器包括第二十七～第三十二NMOS管M27～M32、第三十三～第三十八PMOS管M33～M38；

输入信号VDD与VST分别接入M31和M32的栅极，输出信号VCM连接M30和M37的漏极，M27的漏极连接基准电流源，M27～M30的源极接地，M27～M32的衬底接地，M28的栅极连接M27的栅极与漏极，M28的漏极连接M31和M32的源极，M31的漏极连接M33、M34的漏极以及M35的栅极，M32的漏极连接M35、M36的漏极以及M34的栅极，M33的栅极连接自身漏极以及M38的栅极，M36的栅极连接自身漏极以及M37的栅极，M33～M38的衬底以及源极连接到VL电压，M37的漏极连接M30的漏极，M30的栅极连接M29的栅极以及漏极，M29的栅漏极连接M38的漏极。

5.根据权利要求1所述的射频能量收集系统，其特征在于：所述LDO稳压电路包括第三十九～第四十六NMOS管M39～M46、第四十七～第五十三PMOS管M47～M53、第一R1、第二电阻R2和第十一电容C11；

M39的漏极连接基准电流源，M40的栅极连接M39的漏极与栅极，M40的漏极连接M47的漏极与栅极，M47～M50的栅极互相连接，M51与M52的源极连接到M48的漏极，M51的栅极连接基准电路的参考电压，M51的漏极连接M41的栅漏极和M42的栅极，M52的漏极连接M42的漏极、M43的栅极和M46的源极，M52的栅极连接串联R1、R2的中间，M49的漏极连接M43的漏极、M53的栅极和C11的一端，C11的另一端连接M46的漏极，M39～M44的源极接地，M50的漏极连接M45的栅漏极和M46的栅极，M45的源极连接M44的栅漏极，M53的漏极连接电阻R1的一端和输出端VOUT，R2的另一端接地，M47～M53的衬底接VL，M47～M50的源极连接VL，M39～M46的衬底接地。

6.一种权1～5所述射频能量收集系统的控制方法，其特征在于：所述射频天线将射频能变换为交流能输入匹配升压网络中，匹配升压网络将接收到的较低幅度的交流电VRF变换为较高幅度的交流电VM，RF-DC整流器将交流电VM转化为直流能量，并输出电压VR；当VDD电压低于阈值电压a时，RF-DC整流器的输出直流能量将通过自启动电路对VDD端能量存储单元进行充电，使VDD电压不断增大；当VDD电压增加到高于阈值电压b时，自启动电路关闭，系统进入射频能量提取模式，控制电路开启开关SL，使RF-DC整流器的输出直流能量对VL端能量存储单元进行充电，LDO稳压电路输出稳定的电压VOUT；电压检测电路对VL端能量存储单元输出的电压进行检测，检测结果VDVL接入控制电路，控制电路据此建立VL端能量存储单元与VST端备用能量存储单元的导通路径；当第一能量转换电路检测到UVLO处于高电平、迟滞电压比较器的输出信号VCM处于低电平时，建立VST端备用能量存储单元与VDD端能量存储单元的导通路径。