1.一种对X射线纳米级聚焦的可调式波导系统的制备方法，其特征在于，所述的制备方法包括：利用光刻技术蚀刻出形状相匹配的第一外壳基体和第二外壳基体，利用直流磁控溅射技术制备多层薄膜波导结构样品，在多层薄膜波导结构样品上镀上一层抗电子束薄膜，利用电子束在抗电子束薄膜的多层薄膜波导结构样品的中间位置蚀刻出待离子束蚀刻的空隙，利用离子束将所述的多层薄膜波导结构样品蚀刻出两个结构相同的多层薄膜波导结构，利用粘合方式将两个多层薄膜波导结构分别固定在第一外壳基体和第二外壳基体中，将第一外壳基体和第二外壳基体进行匹配，构成在被驱动时能够进行相对移动的结构并设置在温度可调腔体中，将第一外壳基体和第二外壳基体与温度可调腔体外的驱动机构(2,6)进行连接以驱动第一外壳基体和第二外壳基体进行相对移动，在第一外壳基体和第二外壳基体进行所述的相对移动时能够对两个波导结构之间的距离(L)进行调节，距离调节的范围小于所述多层薄膜波导结构的一级焦点距离并且大于所述多层薄膜波导结构的二级焦点距离，所述的多层薄膜为两种材料交替设置，两种材料中的一种材料为导通材料(5,9)，所述导通材料使X射线通过，另一种材料作为所述导通材料的间隔层(4,8)，所述导通材料为碳薄膜，间隔层材料为过渡金属元素，所述多层薄膜的最外层为间隔层材料，间隔层材料与外壳基体固定连接，所述外壳基体的材料为硅或锗，所述温度可调腔体的温度调节范围为大约30摄氏度-800摄氏度。

2.一种如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述的光刻技术为极紫外光刻技术，所述的直流磁控溅射技术使用的镀膜机为高真空镀膜机，本底真空度为5×10-5Pa以下，工作气压为0.3-0.8Pa，制备间隔层材料靶的功率25-150w，制备导通材料靶的功率为100-

150W。