1.一种热管毛细结构，其特征在于，该毛细结构包括基板及设置在基板上的铜微柱阵列，其中，所述的铜微柱阵列表面具有微或/和纳米级孔洞。

2.如权利要求1所述的毛细结构，其特征在于，微铜柱阵列是由直径为40μm、间距为20μm、高度为50μm的呈矩形阵列排列的圆柱形铜柱构成。

3.如权利要求1所述的毛细结构，其特征在于，所述的基板为铜箔基板。

4.如权利要求1-3任一所述的毛细结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）采用光刻技术和电化学沉积法，在铜箔基板表面沉积出Cu-Al2O3纳米复合材料的微柱阵列；

（2）将步骤（1）所述微柱阵列浸泡在NaOH溶液中，将Al2O3纳米颗粒溶解，得到表面具有微或/和纳米级孔洞的铜微柱阵列。

5.如权利要求4所述的制作方法，其特征在于，铜箔基板厚度为100μm。

6.如权利要求4所述的制作方法，其特征在于，光刻过程采用的光刻胶模板制备步骤如下：首先将铜箔基板放入超声波清洗机中清洗干净，然后将KMPR光刻胶旋涂于铜箔基板一表面，旋涂厚度为50μm，然后将涂有光刻胶的铜箔基板放在烘箱中进行前烘；将掩膜板放置于涂有光刻胶的实验材料上，校准位置后采用深紫外光照射，曝光时间为15s；将经曝光后的实验材料放在显影液中，时间为90s，得到表面具有圆柱孔洞阵列结构的光刻胶模板。

7.如权利要求6所述的制作方法，其特征在于，掩膜板的图案为直径是40μm、相邻圆心距为60μm的呈矩形排列的圆形阵列。

8.如权利要求4所述的制作方法，其特征在于，电化学沉积的步骤为：采用稀硫酸调节

200g/L的CuSO4溶液pH值=1±0.1，然后将平均直径为40nm的Al2O3纳米颗粒以30mg/L的浓度分散在上述溶液中，随后将溶液超声振荡30min；将表面具有圆柱孔洞阵列结构的光刻胶模板作为阴极，另一块铜板为阳极，采用恒压电源提供电流，电流密度为6×10-5mA/cm2，通电时间为15min，随后取出铜箔，去除光刻胶后用去离子水清洗，得到表面具有Cu-Al2O3微柱阵列的铜箔基板。

9.如权利要求4所述的制作方法，其特征在于，NaOH溶液的质量分数为5％。

10.如权利要求4所述的制作方法，其特征在于，步骤（2）中，浸泡时间为30min。