1.一种硅基凹面反射镜的制备方法，其特征在于，该方法是将常规作为电极的薄铂片做成空心球体并把从空心球体上截得的一个球冠做成阴极，圆形硅片为阳极，作为阴极的球冠形薄铂片的球冠高度H=0.05 0.5R，其中R为球冠电极所在的空心球体半径；球冠形薄~铂片的凸面对着硅片，其中球冠底面长度与硅片直径相等；硅片和球冠形薄铂片底平行放置，且硅片中心轴线、球冠形薄铂片的圆心与球冠形薄铂片的中心轴线三者重合，硅片与球冠形薄铂片均浸泡在电解腐蚀液中，所述电解腐蚀液是按氢氟酸：无水乙醇和去离子水以体积比为1:1:2配制的；先采用恒流源对硅片进行电化学腐蚀，在硅片靠近球冠形薄铂片的一侧面上形成剖面为凹形的多孔硅膜；再采用化学腐蚀的方法腐蚀掉多孔硅膜，从而形成硅基凹面反射镜。

2.根据权利要求1所述的硅基凹面反射镜的制备方法，其特征在于，上述电化学腐蚀的具体过程是这样的，首先，使用恒流腐蚀电流对硅片进行电化学腐蚀形成多孔硅薄膜，一方面，在正常的恒流腐蚀电流密度条件下，在硅片上形成多孔硅薄膜，另一方面，由于使用的是恒腐蚀电流且是球冠形电极，以球冠形薄铂片的圆心与球冠底垂线为中心轴，离中心轴越远，腐蚀电流密度越小，对硅片的电化学腐蚀形成多孔硅速度越慢，从而形成以硅片中心轴为中心，离中心轴越远，多孔硅薄膜越薄，导致在硅片靠近球冠形薄铂片的一侧面上形成剖面凹形多孔硅薄膜。

3.根据权利要求1或2所述的硅基凹面反射镜的制备方法，其特征在于，上述化学腐蚀的具体过程是，在凹形多孔硅薄膜制备完成后，使用氢氧化钠溶液对形成的剖面为凹形的多孔硅薄膜进行腐蚀，将多孔硅薄膜腐蚀掉，形成硅基凹面反射镜。

4.根据权利要求3所述的硅基凹面反射镜的制备方法，其特征在于，氢氧化钠腐蚀液的浓度为0 .1-5%。