1.一种ZnSb/GaSb类超晶格相变薄膜，其特征在于：所述ZnSb/GaSb类超晶格相变薄膜由单层ZnSb薄膜和单层GaSb薄膜交替堆叠排列成多层膜结构；

所述ZnSb/GaSb类超晶格相变薄膜的结构符合下列通式：

[ZnSb(a)/GaSb(b)]x，式中a、b分别表示所述的单层ZnSb薄膜和单层GaSb薄膜的厚度，x表示单层ZnSb和单层GaSb薄膜的交替周期数或者交替层数，且x为正整数；相变薄膜的总厚度可由x与所述单层ZnSb和单层GaSb薄膜的厚度计算所得，即[(a+b)*x](nm)；

所述ZnSb表示该薄膜材料中Zn和Sb的原子比为25：75；GaSb表示该薄膜材料中Ga和Sb的原子比为35：65。

2.根据权利要求1所述的ZnSb/GaSb类超晶格相变薄膜，其特征在于，单层ZnSb薄膜的厚度范围为1～10nm，单层GaSb薄膜的厚度范围为1～10nm，所述ZnSb/GaSb类超晶格相变薄膜的总厚度为2‑100nm。

3.一种权利要求1或2所述的ZnSb/GaSb类超晶格相变薄膜的制备方法，其特征在于：所述ZnSb/GaSb类超晶格相变薄膜采用磁控溅射方法制备，衬底采用SiO2/Si(100)基片，溅射靶材为ZnSb和GaSb，溅射气体为高纯Ar气。

4.根据权利要求3所述的制备ZnSb/GaSb类超晶格相变薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)清洗SiO2/Si(100)基片；

2)安装好溅射靶材；设定溅射功率，设定溅射Ar气流量及溅射气压；

3)采用磁控溅射方法制备ZnSb/GaSb类超晶格相变薄膜材料；

a)将空基托旋转到ZnSb靶位，打开ZnSb靶上的射频电源，依照设定的溅射时间对ZnSb靶材表面进行溅射，清洁ZnSb靶位表面；

b)ZnSb靶位表面清洁完成后，关闭ZnSb靶位上所施加的射频电源，将空基托旋转到GaSb靶位，开启GaSb靶上的射频电源，依照设定的溅射时间对GaSb靶材表面进行溅射，清洁GaSb靶位表面；

c)GaSb靶位表面清洁完成后，将待溅射的基片旋转到ZnSb靶位，打开ZnSb靶位上的射频电源，依照设定的溅射时间，开始溅射ZnSb薄膜；

d)ZnSb薄膜溅射完成后，关闭ZnSb靶上所施加的射频电源，将基片旋转到GaSb靶位，开启GaSb靶位射频电源，依照设定的溅射时间，开始溅射GaSb薄膜；

e)重复c)和d)两步，即在SiO2/Si(100)基片上制备ZnSb/GaSb类超晶格相变薄膜材料。

5.根据权利要求3所述制备ZnSb/GaSb类超晶格相变薄膜的方法，其特征在于，所述的‑4ZnSb和GaSb靶材的纯度在原子百分比99.999％以上，本底真空度不大于3×10 Pa。

6.根据权利要求3所述制备ZnSb/GaSb类超晶格相变薄膜的方法，其特征在于，所述的ZnSb靶材和GaSb靶材采用射频电源，溅射功率为65‑70W。

7.根据权利要求3所述制备ZnSb/GaSb类超晶格相变薄膜的方法，其特征在于，所述Ar气的纯度为体积百分比99.999％以上，气体流量为45‑55SCCM，溅射气压为0.60‑0.70Pa。

8.根据权利要求3所述制备ZnSb/GaSb类超晶格相变薄膜的方法，其特征在于，所述的ZnSb/GaSb类超晶格相变薄膜的厚度通过溅射时间来调控。

9.一种权利要求1‑2任一项所述 ZnSb/GaSb类超晶格相变薄膜在相变存储器中的应用。