1.一种JFET型自激式交错并联Sepic变换器，其特征在于：所述JFET型自激式交错并联Sepic变换器包括电感L1、电感L2、可在栅源极电压为0时导通的N型JFET管J1、可在栅源极电压为0时导通的N型JFET管J2、电容C1、电容C2、二极管D1、二极管D2、电感L3、电感L4、二极管D3、二极管D4、电容Co、驱动支路1和驱动支路2，驱动支路1具有端口a1、端口b1和端口c1，驱动支路2具有端口a2、端口b2和端口c2，直流电源Vi的正端同时与电感L1的一端和电感L2的一端相连，电感L1的另一端同时与可在栅源极电压为0时导通的N型JFET管J1的漏极、驱动支路2的端口c2和电容C1的一端相连，电容C1的另一端同时与二极管D1的阳极和电感L3的一端相连，电感L3的另一端与二极管D3的阴极相连，二极管D1的阴极同时与二极管D2的阴极、电容Co的一端和负载的一端相连，电容Co的另一端同时与负载的另一端、二极管D3的阳极、二极管D4的阳极、驱动支路1的端口b1、驱动支路2的端口b2、可在栅源极电压为0时导通的N型JFET管J1的源极、可在栅源极电压为0时导通的N型JFET管J2的源极和直流电源Vi的负端相连，电感L2的另一端同时与可在栅源极电压为0时导通的N型JFET管J2的漏极、驱动支路1的端口c1和电容C2的一端相连，电容C2的另一端同时与二极管D2的阳极和电感L4的一端相连，电感L4的另一端与二极管D4的阴极相连，可在栅源极电压为0时导通的N型JFET管J1的栅极与驱动支路1的端口a1相连，可在栅源极电压为0时导通的N型JFET管J2的栅极与驱动支路2的端口a2相连；

所述驱动支路1包括稳压管Za1、电阻Ra1和电容Ca1，驱动支路1的端口a1同时与稳压管Za1的阳极和电阻Ra1的一端相连，电阻Ra1的另一端与电容Ca1的一端相连，电容Ca1的另一端与驱动支路1的端口c1相连，稳压管Za1的阴极与驱动支路1的端口b1相连；

所述驱动支路2包括稳压管Za2、电阻Ra2和电容Ca2，驱动支路2的端口a2同时与稳压管Za2的阳极和电阻Ra2的一端相连，电阻Ra2的另一端与电容Ca2的一端相连，电容Ca2的另一端与驱动支路2的端口c2相连，稳压管Za2的阴极与驱动支路2的端口b2相连；

稳态时，连续导通模式的工作状态的2个阶段：(1)可在栅源极电压为0时导通的N型JFET管J1导通，可在栅源极电压为0时导通的N型JFET管J2截止，可在栅源极电压为0时导通的N型JFET管J2的栅极电压为负，可在栅源极电压为0时导通的N型JFET管J1的栅极电压约为零；(2)可在栅源极电压为0时导通的N型JFET管J1截止，可在栅源极电压为0时导通的N型JFET管J2导通，可在栅源极电压为0时导通的N型JFET管J2的栅极电压约为零，可在栅源极电压为0时导通的N型JFET管J1的栅极电压为负。

2.一种JFET型自激式交错并联Sepic变换器，其特征在于：所述JFET型自激式交错并联Sepic变换器包括电感L1、电感L2、可在栅源极电压为0时导通的N型JFET管J1、可在栅源极电压为0时导通的N型JFET管J2、电容C1、电容C2、二极管D1、二极管D2、电感L3、电感L4、二极管D3、二极管D4、电容Co、驱动支路1和驱动支路2，驱动支路1具有端口a1、端口b1和端口c1，驱动支路2具有端口a2、端口b2和端口d2，直流电源Vi的正端同时与电感L1的一端和电感L2的一端相连，电感L1的另一端同时与可在栅源极电压为0时导通的N型JFET管J1的漏极和电容C1的一端相连，电容C1的另一端同时与驱动支路2的端口d2、二极管D1的阳极和电感L3的一端相连，电感L3的另一端与二极管D3的阴极相连，二极管D1的阴极同时与二极管D2的阴极、电容Co的一端和负载的一端相连，电容Co的另一端同时与负载的另一端、二极管D3的阳极、二极管D4的阳极、驱动支路1的端口b1、驱动支路2的端口b2、可在栅源极电压为0时导通的N型JFET管J1的源极、可在栅源极电压为0时导通的N型JFET管J2的源极和直流电源Vi的负端相连，电感L2的另一端同时与可在栅源极电压为0时导通的N型JFET管J2的漏极、驱动支路1的端口c1和电容C2的一端相连，电容C2的另一端同时与二极管D2的阳极和电感L4的一端相连，电感L4的另一端与二极管D4的阴极相连，可在栅源极电压为0时导通的N型JFET管J1的栅极与驱动支路1的端口a1相连，可在栅源极电压为0时导通的N型JFET管J2的栅极与驱动支路2的端口a2相连；

所述驱动支路1包括稳压管Za1、电阻Ra1和电容Ca1，驱动支路1的端口a1同时与稳压管Za1的阳极和电阻Ra1的一端相连，电阻Ra1的另一端与电容Ca1的一端相连，电容Ca1的另一端与驱动支路1的端口c1相连，稳压管Za1的阴极与驱动支路1的端口b1相连；

所述驱动支路2包括稳压管Zd2、电阻Rd2和电容Cd2，驱动支路2的端口a2同时与稳压管Zd2的阳极和电阻Rd2的一端相连，电阻Rd2的另一端与电容Cd2的一端相连，电容Cd2的另一端与驱动支路2的端口d2相连，稳压管Zd2的阴极与驱动支路2的端口b2相连。

3.一种JFET型自激式交错并联Sepic变换器，其特征在于：所述JFET型自激式交错并联Sepic变换器包括电感L1、电感L2、可在栅源极电压为0时导通的N型JFET管J1、可在栅源极电压为0时导通的N型JFET管J2、电容C1、电容C2、二极管D1、二极管D2、电感L3、电感L4、二极管D3、二极管D4、电容Co、驱动支路1和驱动支路2，驱动支路1具有端口a1、端口b1和端口d1，驱动支路2具有端口a2、端口b2和端口c2，直流电源Vi的正端同时与电感L1的一端和电感L2的一端相连，电感L1的另一端同时与可在栅源极电压为0时导通的N型JFET管J1的漏极、驱动支路2的端口c2和电容C1的一端相连，电容C1的另一端同时与二极管D1的阳极和电感L3的一端相连，电感L3的另一端与二极管D3的阴极相连，二极管D1的阴极同时与二极管D2的阴极、电容Co的一端和负载的一端相连，电容Co的另一端同时与负载的另一端、二极管D3的阳极、二极管D4的阳极、驱动支路1的端口b1、驱动支路2的端口b2、可在栅源极电压为0时导通的N型JFET管J1的源极、可在栅源极电压为0时导通的N型JFET管J2的源极和直流电源Vi的负端相连，电感L2的另一端同时与可在栅源极电压为0时导通的N型JFET管J2的漏极和电容C2的一端相连，电容C2的另一端同时与驱动支路1的端口d1、二极管D2的阳极和电感L4的一端相连，电感L4的另一端与二极管D4的阴极相连，可在栅源极电压为0时导通的N型JFET管J1的栅极与驱动支路1的端口a1相连，可在栅源极电压为0时导通的N型JFET管J2的栅极与驱动支路2的端口a2相连；

所述驱动支路1包括稳压管Zd1、电阻Rd1和电容Cd1，驱动支路1的端口a1同时与稳压管Zd1的阳极和电阻Rd1的一端相连，电阻Rd1的另一端与电容Cd1的一端相连，电容Cd1的另一端与驱动支路1的端口d1相连，稳压管Zd1的阴极与驱动支路1的端口b1相连；

所述驱动支路2包括稳压管Za2、电阻Ra2和电容Ca2，驱动支路2的端口a2同时与稳压管Za2的阳极和电阻Ra2的一端相连，电阻Ra2的另一端与电容Ca2的一端相连，电容Ca2的另一端与驱动支路2的端口c2相连，稳压管Za2的阴极与驱动支路2的端口b2相连。

4.一种JFET型自激式交错并联Sepic变换器，其特征在于：所述JFET型自激式交错并联Sepic变换器包括电感L1、电感L2、可在栅源极电压为0时导通的N型JFET管J1、可在栅源极电压为0时导通的N型JFET管J2、电容C1、电容C2、二极管D1、二极管D2、电感L3、电感L4、二极管D3、二极管D4、电容Co、驱动支路1和驱动支路2，驱动支路1具有端口a1、端口b1和端口d1，驱动支路2具有端口a2、端口b2和端口d2，直流电源Vi的正端同时与电感L1的一端和电感L2的一端相连，电感L1的另一端同时与可在栅源极电压为0时导通的N型JFET管J1的漏极和电容C1的一端相连，电容C1的另一端同时与驱动支路2的端口d2、二极管D1的阳极和电感L3的一端相连，电感L3的另一端与二极管D3的阴极相连，二极管D1的阴极同时与二极管D2的阴极、电容Co的一端和负载的一端相连，电容Co的另一端同时与负载的另一端、二极管D3的阳极、二极管D4的阳极、驱动支路1的端口b1、驱动支路2的端口b2、可在栅源极电压为0时导通的N型JFET管J1的源极、可在栅源极电压为0时导通的N型JFET管J2的源极和直流电源Vi的负端相连，电感L2的另一端同时与可在栅源极电压为0时导通的N型JFET管J2的漏极和电容C2的一端相连，电容C2的另一端同时与驱动支路1的端口d1、二极管D2的阳极和电感L4的一端相连，电感L4的另一端与二极管D4的阴极相连，可在栅源极电压为0时导通的N型JFET管J1的栅极与驱动支路1的端口a1相连，可在栅源极电压为0时导通的N型JFET管J2的栅极与驱动支路2的端口a2相连；

所述驱动支路1包括稳压管Zd1、电阻Rd1和电容Cd1，驱动支路1的端口a1同时与稳压管Zd1的阳极和电阻Rd1的一端相连，电阻Rd1的另一端与电容Cd1的一端相连，电容Cd1的另一端与驱动支路1的端口d1相连，稳压管Zd1的阴极与驱动支路1的端口b1相连；

所述驱动支路2包括稳压管Zd2、电阻Rd2和电容Cd2，驱动支路2的端口a2同时与稳压管Zd2的阳极和电阻Rd2的一端相连，电阻Rd2的另一端与电容Cd2的一端相连，电容Cd2的另一端与驱动支路2的端口d2相连，稳压管Zd2的阴极与驱动支路2的端口b2相连。

5.如权利要求1或2所述的JFET型自激式交错并联Sepic变换器，其特征在于：所述驱动支路1还包括电阻Rb1和二极管Db1，电阻Rb1的一端与驱动支路1的端口a1相连，电阻Rb1的另一端与二极管Db1的阴极相连，二极管Db1的阳极与电容Ca1的一端相连；

或者，所述驱动支路1还包括电阻Rc1和二极管Dc1，二极管Dc1的阳极与驱动支路1的端口a1相连，二极管Dc1的阴极与电阻Rc1的一端相连，电阻Rc1的另一端与电容Caj的一端相连。

6.如权利要求1或3所述的JFET型自激式交错并联Sepic变换器，其特征在于：所述驱动支路2还包括电阻Rb2和二极管Db2，电阻Rb2的一端与驱动支路2的端口a2相连，电阻Rb2的另一端与二极管Db2的阴极相连，二极管Db2的阳极与电容Ca2的一端相连；

或者，所述驱动支路2还包括电阻Rc2和二极管Dc2，二极管Dc2的阳极与驱动支路2的端口a2相连，二极管Dc2的阴极与电阻Rc2的一端相连，电阻Rc2的另一端与电容Ca2的一端相连。

7.如权利要求2或4所述的JFET型自激式交错并联Sepic变换器，其特征在于：所述驱动支路2还包括电阻Re2和二极管De2，电阻Re2的一端与驱动支路2的端口a2相连，电阻Re2的另一端与二极管De2的阴极相连，二极管De2的阳极与电容Cd2的一端相连；

或者，所述驱动支路2还包括电阻Rf2和二极管Df2，二极管Df2的阳极与驱动支路2的端口a2相连，二极管Df2的阴极与电阻Rf2的一端相连，电阻Rf2的另一端与电容Cd2的一端相连。

8.如权利要求3或4所述的JFET型自激式交错并联Sepic变换器，其特征在于：所述驱动支路1还包括电阻Re1和二极管De1，电阻Re1的一端与驱动支路1的端口a1相连，电阻Re1的另一端与二极管De1的阴极相连，二极管De1的阳极与电容Cd1的一端相连；

或者，所述驱动支路1还包括电阻Rf1和二极管Df1，二极管Df1的阳极与驱动支路1的端口a1相连，二极管Df1的阴极与电阻Rf1的一端相连，电阻Rf1的另一端与电容Cd1的一端相连。

9.如权利要求1至4之一所述的JFET型自激式交错并联Sepic变换器，其特征在于：所述可在栅源极电压为0时导通的N型JFET管J1和可在栅源极电压为0时导通的N型JFET管J2都可采用耗尽型MOSFET管代替。