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专利号: 2018106727573
申请人: 中国科学院深圳先进技术研究院
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
更新日期:2026-09-09
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种HxMoO3-y纳米材料,该纳米材料包含HxMoO3-y形成的直径为50~190nm、长度为0.1~20μm的纳米带,0<x≤1,0≤y≤1。

2.一种权利要求1所述的HxMoO3-y纳米材料的制备方法,所述方法包括如下步骤:将钼粉与双氧水反应2-4h;

将所得溶液于140~200℃下进行水热反应0.5~3d后,进行清洗和干燥;以及向干燥后所得产物中加入醋酸,再加入HI反应3~5d后,进行清洗和干燥。

3.一种HxMoO3-y薄膜电极,该薄膜电极包含权利要求1所述的HxMoO3-y纳米材料。

4.如权利要求3所述的HxMoO3-y薄膜电极,其中,所述薄膜电极的厚度为1~10μm。

5.如权利要求3所述的HxMoO3-y薄膜电极,其中,所述薄膜电极用作太阳能电池的对电极。

6.一种权利要求3所述的HxMoO3-y薄膜电极的制备方法,所述方法包括如下步骤:将HxMoO3-y纳米材料分散于有机溶剂中得到分散液;

将所述分散液通过喷涂或者旋涂形成薄膜。

7.一种太阳能电池,所述太阳能电池的结构由下至上包括:透明导电基底、空穴阻挡层、介孔电子传输层、介孔骨架层和电极层,其中,所述介孔骨架层和电极层中渗透有钙钛矿吸光材料,所述电极层为包含HxMoO3-y纳米材料的HxMoO3-y薄膜电极,所述纳米材料包含HxMoO3-y形成的直径为50~190nm、长度为0.1~20μm的纳米带,0<x≤1,0≤y≤1。

8.如权利要求7所述的太阳能电池,其中,所述钙钛矿吸光材料为ABX3,A=CH3NH3、NH2CHNH2、Cs或其混合物;B=Pb或Sn或其混合物;X=I、Br、Cl、CN、SCN或其混合物。

9.一种权利要求7所述的太阳能电池的制备方法,所述方法包括如下步骤:准备透明导电基底;

在所述透明导电基底上形成空穴阻挡层;

在所述空穴阻挡层上形成介孔电子传输层;

在所述介孔电子传输层上形成介孔骨架层;

在所述介孔骨架层上形成电极层;

以及将含有钙钛矿吸光材料的溶液渗透进入所述介孔骨架层和电极层并退火,其中,所述电极层为包含HxMoO3-y纳米材料的HxMoO3-y薄膜电极,所述纳米材料包含HxMoO3-y形成的直径为50~190nm、长度为0.1~20μm的纳米带,0<x≤1,0≤y≤1。

10.一种太阳能电池,所述太阳能电池的结构由下至上包括:透明导电基底、空穴阻挡层、介孔电子传输层、介孔骨架层、钙钛矿吸光层和电极层,其中,所述电极层为包含HxMoO3-y纳米材料的HxMoO3-y薄膜电极,所述纳米材料包含HxMoO3-y形成的直径为50~190nm、长度为0.1~20μm的纳米带,0<x≤1,0≤y≤1。

11.如权利要求10所述的太阳能电池,其中,所述钙钛矿吸光层由ABX3材料形成,A=CH3NH3、NH2CHNH2、Cs或其混合物;B=Pb或Sn或其混合物;X=I、Br、Cl、CN、SCN或其混合物。

12.一种权利要求10所述的太阳能电池的制备方法,其中,所述方法包括如下步骤:准备透明导电基底;

在所述透明导电基底上形成空穴阻挡层;

在所述空穴阻挡层上形成介孔电子传输层;

在所述介孔电子传输层上形成介孔骨架层;

在所述介孔骨架层上形成钙钛矿吸光层;以及

在所述钙钛矿吸光层上形成电极层,

其中,所述电极层为包含HxMoO3-y纳米材料的HxMoO3-y薄膜电极,所述纳米材料包含HxMoO3-y形成的直径为50~190nm、长度为0.1~20μm的纳米带,0<x≤1,0≤y≤1。