1.一种超导电缆用二硼化镁超导薄膜的制备方法，包括以下步骤：（1）选择基板衬底，

（2）清洗基板衬底5分钟，去除油污，使用氮气吹干后保存，（3）启动机械泵将沉积室抽低真空，然后启动分子泵抽高真空，当达到10-5Pa真空度后，以10℃/min升温加热基板衬底，通入氩气和氢气的混合气体，使沉积室内气压保持在

0.01Pa，保持时间为10-15分钟，将乙硼烷引入沉积室内，保持气压为1000-5000Pa，加热基板衬底至400℃以上，使单质B沉积到基板上生成无定形B薄膜，沉积时间为10-30min，以10℃/min的速度降温至常温，完成B薄膜的制备，（4）将B薄膜基板和高纯镁颗粒放入密闭坩埚内，镁颗粒的直径为0.3-0.5cm，在高纯氩气下退火10min，退火温度为800-1000℃，在退火过程中，以20℃/min的速度升温至800-

1000℃，然后保温30-40min，自然降温至室温；

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所述超导电缆用二硼化镁超导薄膜的超导转变温度达到39K以上，具有2×10A/cm以上的临界电流。

2.如权利要求1的超导电缆用二硼化镁超导薄膜的制备方法，所述步骤（1）中的衬底为SiC、钛酸锶、蓝宝石、MgO、多晶硅、铝酸镧和不锈钢中的一种或多种。

3.如权利要求1的超导电缆用二硼化镁超导薄膜的制备方法，所述步骤（2）中的清洗步骤采用去离子水、双氧水和盐酸的混合液。

4.如权利要求1的超导电缆用二硼化镁超导薄膜的制备方法，所述步骤（3）中的所述氩气和氢气的体积比为4:1。

5.如权利要求1的超导电缆用二硼化镁超导薄膜的制备方法，所述步骤（3）中的所述乙硼烷浓度为0.2%-0.5%。

6.如权利要求1的超导电缆用二硼化镁超导薄膜的制备方法，所述步骤（3）中的所述加热基板衬底是采用钼丝加热的方式。

7.如权利要求1的超导电缆用二硼化镁超导薄膜的制备方法，所述步骤（3）制备的B薄膜电阻值为200MΩ以上，表面呈非晶态。

8.如权利要求1的超导电缆用二硼化镁超导薄膜的制备方法，所述步骤（4）的高纯镁颗粒的纯度为99.99%以上。