1.一种二吲哚并三并咔唑基空穴传输材料，其特征在于：该材料是以二吲哚并三并咔唑作为核、富电子单元作为修饰基团的多臂结构化合物，其通式结构如下式1所示：式1中，Ar为以下式2所示的基团中的一种：

其中，R、R1和R2为C1-C30的直链、支链烷基或烷氧基链的一种；*为连接位置。

2.根据权利要求1所述的二吲哚并三并咔唑基空穴传输材料，其特征在于：所述通式结构式1所示的材料中，二吲哚并三并咔唑的3,8,14,19-位与修饰基团Ar通过-C-C-键或者-C-N-键链接；所述R、R1和R2为C1-C12的直链、支链烷基或烷氧基链的一种。

3.一种权利要求1所述的二吲哚并三并咔唑基空穴传输材料的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

化合物I的制备：在氮气保护及避光条件下，将化合物II、钯催化剂、任意一种Ar1-Ar7的单硼酸或仲胺与碱溶解于甲苯，进行反应，反应结束经柱色谱纯化得化合物I；

其中，化合物II的结构如式3所示：

4.根据权利要求3所述的二吲哚并三并咔唑基空穴传输材料的制备方法，其特征在于：所述化合物II与任意一种Ar1-Ar7的单硼酸或仲胺的摩尔比为1:4～1:10。

5.根据权利要求3所述的二吲哚并三并咔唑基空穴传输材料的制备方法，其特征在于：所述钯催化剂为四三苯基膦钯或者三(二亚苄基丙酮)二钯的一种，与化合物II摩尔比为

0.1:1～0.2:1。

6.根据权利要求3所述的二吲哚并三并咔唑基空穴传输材料的制备方法，其特征在于：所述碱为碳酸钾或者叔丁醇钾的一种，与化合物II摩尔比为4:1～10:1。

7.根据权利要求3所述的二吲哚并三并咔唑基空穴传输材料的制备方法，其特征在于：所述化合物II与甲苯的质量体积比为：每500mg化合物II加入甲苯15～25mL。

8.根据权利要求3所述的二吲哚并三并咔唑基空穴传输材料的制备方法，其特征在于：所述反应条件是：在温度60～120℃反应8～72h。

9.权利要求1所述的二吲哚并三并咔唑基空穴传输材料作为空穴提取材料、空穴传输材料或者电子阻挡材料在有机电致发光器件、有机太阳能电池器件、钙钛矿太阳能电池器件或有机场效应晶体管器件中的应用。

10.根据权利要求9所述的应用，其特征在于：所述二吲哚并三并咔唑基空穴传输材料作为空穴传输材料应用于钙钛矿太阳能电池器件。