1.一种负电容场效应晶体管中抑制随机掺杂效应的建模方法，其特征在于：计算具体工艺技术节点MOSFET器件掺杂浓度的标准偏差，通过集成电路器件及电路仿真软件HSPICE，扫描栅电压VGS，使其在0V至1V之间变化，并进行蒙特卡洛仿真，在不同栅电压下各产生5000个样本数据；

通过HSPICE软件，提取MOSFET的栅极电容CG，漏源电流ID,亚阈斜率SS，及阈值电压VT随VGS变化的均值、标准差、偏度和峰度，估计随机掺杂效应对MOSFET器件参数影响的程度；

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选取氧化铪作为铁电材料，取其剩余极化值在1μC/cm 至5μC/cm 之间，矫顽电场在

0.5MV/cm至1.0MV/cm之间，并使得该材料膜的厚度TFE在5nm‑25nm之间，制作一个与MOSFET匹配的电容器，上述参数可以保证该电容器工作在负电容模式且不出现滞回效应；

根据公式 其中 计算得到该负电容的值，并将其串联到MOSFET的栅极后集成在MOSFET上，构成一个负电容MOSFET器件，称其为NC‑FET器件，其中Ec表示矫顽电场，Pr表示剩余极化值；

构建NC‑FET的等效电容模型，得到从外部栅极看进去的等效电容计算公式：其中 Cox表示栅氧化层电容，CD表示MOSFET沟道耗尽层电容，并根据串联电容的分压公式得到内部栅极上电压VG与外部栅电压VGS的关系为：在保持外部栅电压VGS在0V至1V之间不变的情况下，重新分析内部栅电压VG作用下MOSFET性能参数在随机掺杂效应影响下的CEQ、IDNC、SSNC＝SS/Av和DIBLNC＝DIBL/Av变化的均值、标准差、偏度以及峰度，并与未串联负电容时的值进行比较，其中IDNC表示负电容场效应晶体管的沟道电流，SSNC表示负电容场效应晶体管的亚阈斜率，DIBL表示漏致势垒降低，Av表示内部电压放大倍数，DIBLNC表示负电容场效应晶体管的漏致势垒降低效应。