1.一种有机-无机杂化铅卤化物钙钛矿纳米线的制备方法，具体步骤如下：

1)将导电玻璃基底用无尘纸沾洗涤剂擦洗一遍冲洗干净，除去表面灰尘；依次用洗洁精的去离子水溶液、去离子水、乙醇、丙酮和乙醇超声清洗20min，然后置于干燥箱中烘干；

2)将导电玻璃基底置于体积比1:1的HF与H2O2混合溶液中腐蚀5～15分钟，形成均匀的微米级粗糙形貌；在腐蚀过后的凹陷粗糙形貌上磁控溅射上一层厚度为30nm的ITO；再在导电玻璃上制备厚度为30nm的TiO2，得到处理好的基底；

3)将处理好的基底紫外臭氧处理20min后，将浓度为1～2g/mL有机-无机杂化铅卤化物钙钛矿前驱体溶液涂覆在基底的亲水性表面，在溶液中的溶剂开始挥发后进行旋涂，在旋涂过程中将200μL的反溶剂氯苯一次性滴加到溶液中，之后在60℃～110℃条件下进行退火处理10min；有机-无机杂化铅卤化物钙钛矿前驱体在结晶过程中通过液体张力与重力之间的补偿作用自拉伸生长出立式纳米线；

其中，所述的导电玻璃基底为ITO导电玻璃基底、FTO导电玻璃基底或AZO导电玻璃基底；所述的有机-无机杂化铅卤化物为CH3NH3PbI3、CH3NH3PbCl3或CH3NH3PbBr3。

2.根据权利要求1所述的有机-无机杂化铅卤化物钙钛矿纳米线的制备方法，其特征在于，步骤2)中磁控溅射制备导电玻璃的磁控溅射压强为0.8Pa，磁控溅射腔体内的背景气压为2.0×10-4Pa，功率为70W，溅射12min。

3.根据权利要求1所述的有机-无机杂化铅卤化物钙钛矿纳米线的制备方法，其特征在于，步骤2)中所述的微米级粗糙形貌为微米级U形、金字塔形或方形。

4.根据权利要求1所述的有机-无机杂化铅卤化物钙钛矿纳米线的制备方法，其特征在于，步骤3)中所述的有机-无机杂化铅卤化物钙钛矿前驱体溶液的涂覆方法为旋涂法、刮涂法、滴涂法、真空蒸发法或超声喷雾法。

5.如权利要求1所述的有机-无机杂化铅卤化物钙钛矿纳米线的制备方法可用于制备钙钛矿太阳电池中钙钛矿层。