1.一种利用全固态电池实现增强型III-V HEMT器件的方法，其特征在于，包括以下工艺步骤：（a）在选定衬底（1）上形成第二半导体层（2）和第一半导体层（3）并在所述第二半导体层（2）和第一半导体层（3）之间形成异质结构；

（b）在第一半导体层（3）上形成绝缘隔离层（4）；

（c）在有源区之外进行离子注入隔离，去除有源区之外的绝缘隔离层（4）；

（d）在所述第一半导体层（3）上制作源电极（5）和漏电极（6）；所述源电极（5）和漏电极（6）通过形成于该异质结构中的二维电子气电连接；

（e）在绝缘隔离层（4）上依次沉积生长正极集流体（7）、正极薄膜材料层（8）、全固态电解质（9）、负极薄膜材料层（10）和负极集流体（11），进而形成全固态电池；

（f）在所述第一半导体层（3）上的有源区制作栅电极（12），同时在有源区中制作阴极互联的二极管对（13、14）；

（g）实现全固态电池的级联，以及全固态电池的正极集流体（7）与所述源电极（5）之间以及所述全固态电池的负极集流体（11）、二极管对（13、14）与所述栅电极（12）之间的电连接。

2.根据权利要求1所述的利用全固态电池实现增强型III-V HEMT器件的方法，其特征在于，步骤（a）中采用：金属有机化合物化学气相沉积（MOCVD）或分子束外延（MBE）或氢化物气相外延（HVPE）外延技术。

3.根据权利要求1所述的利用全固态电池实现增强型III-V HEMT器件的方法，其特征在于，步骤（b）中采用：原子层沉积（ALD）、等离子体辅助的原子层沉积（PEALD）、溅射、低压化学气相沉积（LPCVD）、脉冲激光沉积（PLD）或等离子体增强的化学气相沉积（PECVD）介质层沉积技术。

4.根据权利要求1所述的利用全固态电池实现增强型III-V HEMT器件的方法，其特征在于，步骤（c）中采用：电感耦合等离子体刻蚀、反应离子刻蚀或离子束刻蚀技术。

5.根据权利要求1所述的利用全固态电池实现增强型III-V HEMT器件的方法，其特征在于，步骤（d）中进一步包括：采用金属沉积，然后快速热退火技术实现欧姆接触。

6.根据权利要求1所述的利用全固态电池实现增强型III-V HEMT器件的方法，其特征在于，步骤（e）还包括：正极集流体（7）与负极集流体（11）采用电子束蒸发或磁控溅射金属沉积技术形成；正极薄膜材料层（8）、全固态电解质（9）、负极薄膜材料层（10）采用化学气相沉积法、物理气相沉积法、旋涂法或丝网印刷法形成。

7.根据权利要求1所述的利用全固态电池实现增强型III-V HEMT器件的方法，其特征在于，步骤（f）中采用电子束蒸发或溅射金属沉积技术。

8.根据权利要求1所述的利用全固态电池实现增强型III-V HEMT器件的方法，其特征在于，所述全固态电池的正极集流体（7）与所述源电极（5）之间以及所述全固态电池的负极集流体（11）、二极管对（13、14）与所述栅电极（12）之间采用引线键合技术实现电连接。

9.根据权利要求1所述的利用全固态电池实现增强型III-V HEMT器件的方法，其特征在于，所述全固态电池由至少1组电池单元串联或串并联构成，所述电池单元为多层薄膜结构，至少包括正极集流体（7）、正极薄膜材料层（8）、全固态电解质（9）、负极薄膜材料层（10）及负极集流体（11）。

10.根据权利要求5所述的利用全固态电池实现增强型III-V HEMT器件的方法，其特征在于，所述绝缘隔离层（4）为单层SiO2、AlON、Si3N4、SiON绝缘体、六方氮化硼绝缘二维材料，或者由上述材料组成的多层结构。