1.一种分子刷接枝的自清洁材料，其特征在于，以硅片材料为基材，所述基材至少一个表面接枝了厚度为4.0～4.5nm的聚二甲基硅氧烷分子刷；

所述基材的表面均匀分布了宽度为0.1～35μm，高度为5～60nm的沟槽，所述聚二甲基硅氧烷分子刷接枝在所述基材的表面。

2.根据权利要求1所述的自清洁材料，其特征在于，所述硅片材料的长*宽为1～5cm*1～5cm；优选为2cm*2cm。

3.根据权利要求1或2所述的自清洁表面，其特征在于，所述沟槽的宽度为12～35μm，高度为29～60nm；

优选的，所述沟槽的宽度为13～17μm、高度为40～50nm。

4.根据权利要求1～3任一项所述的自清洁材料，其特征在于，相邻所述沟槽的间隔为

0.1～35μm，优选为15～35μm；更优选为15μm。

5.根据权利要求1～4任一项所述的自清洁材料，其特征在于，所述聚二甲基硅氧烷采用如下方式制得：将异丙醇、二甲基二甲氧基硅烷和浓度98％硫酸水溶液按100:10:1的质量比混合后，放置2～60h；

优选地，将异丙醇、二甲基二甲氧基硅烷和浓度98％硫酸水溶液按100:10:1的质量比混合后，放置48h。

6.权利要求1～5任一项所述自清洁材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)采用磨料对硅片材料进行定向打磨，得到具有定向沟槽的硅片；

2)将异丙醇、二甲基二甲氧基硅烷和浓度为98％硫酸水溶液按100:10:1的质量比混合后，放置2～60h后，得到聚二甲基硅氧烷溶液；

3)将步骤1)打磨后的硅片浸入步骤2)制得的聚二甲基硅氧烷溶液中5～10s，即得；

优选地，所述浸入的时间为7s。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述打磨具体采用粒径为0.1～35μm的磨料在压力为100～700g的恒负载条件下进行；优选地，所述磨料的粒径为15～35μm，所述恒负载的压力为250～350g；更优选的，所述磨料的粒径为15μm，所述恒负载的压力为

300g；

进一步优选地，所述磨料为金刚砂砂纸。

8.根据权利要求6或7所述的制备方法，其特征在于，还包括干燥；所述干燥具体为：在湿度为60％～70％、温度为20～25℃的条件下，干燥3～8min；

和/或，所述干燥后，还包括清洁；所述清洁具体为：分别采用水、异丙醇、甲苯进行冲洗，即可。

9.根据权利要求6～8所述的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)采用粒径为15μm的磨料在恒负载的压力为300g的条件下，对硅片材料进行定向打磨，得到具有定向沟槽的硅片；

2)将异丙醇、二甲基二甲氧基硅烷和浓度为98％硫酸水溶液按100:10:1的质量比混合后，放置2～60h后，得到聚二甲基硅氧烷溶液；

3)将步骤1)打磨后的硅片浸入步骤2)制得的聚二甲基硅氧烷溶液中7s，干燥，清洁，即得。

10.权利要求1～5任一项所述的自清洁材料或权利要求6～9任一项所述的制备方法制得的自清洁材料在空气、水、甘油、甲酰胺、甲酸、甲苯中自清洁的应用。