1.一种全无机钙钛矿阻变存储器，其结构从下至上依次为底电极、阻变层、顶电极，其特征在于所述底电极为透明导电玻璃ITO，即为掺Sn的In2O3薄膜，其厚度为100～300nm，其形状为矩形，其边长为500μm～2cm；所述阻变层材料为CsPbBr3，阻变层厚度为150～200nm，其形状为矩形，其边长为500μm～2cm；所述顶电极为Pt、或Au或W金属，其厚度为50～100nm，其形状为圆或矩形，其直径或边长为50～900μm，致密的CsPbBr3薄膜通过旋涂法制备。

2.一种全无机钙钛矿阻变存储器的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

步骤1.清洗ITO衬底

ITO衬底分别在去离子水，丙酮，酒精中超声40min，烘干ITO，贴上绝缘胶带，在UV仪器中用紫外光照射ITO表面30min；

步骤2.制备全无机CsPbBr3粉末

制备A溶液，将10～30mmol的PbBr2粉末溶解于10％～50％百分比浓度的HBr水溶液中，并在室温下搅拌至PbBr2完全溶解；制备B溶液，将10～60mmol的CsBr粉末溶解在去离子水中，室温下搅拌至CsBr完全溶解；使用注射器将B液快速注入到A液中，注入时间控制在一定范围内；利用甲醇作为清洗液，多次清洗抽滤后获得CsPbBr3粉末，最后将CsPbBr3粉末置于氩气氛围的手套箱中，在适当温度的热台上退火一段时间，去除多余的甲醇，得到纯净干燥的CsPbBr3粉末；

步骤3.制备致密的CsPbBr3多晶薄膜

取0.5～1.4g CsPbBr3粉末溶解在DMSO溶液中，室温下避光搅拌10h～12h后，静置0.5～

2h，然后使用直径为0.22μm过滤器过滤，去除溶液中的大颗粒，获得无色透明的CsPbBr3前驱液；取50～120μL CsPbBr3前驱液旋涂在步骤1中的ITO表面上，旋涂仪转速设置为3000r/min～5000r/min，时间为40～60s，在旋涂至15～25s时滴加200～1000μL反溶剂，使钙钛矿层快速结晶，然后在100～150℃条件下退火10～30min，去除多余溶剂，获得致密的CsPbBr3多晶薄膜；

所述反溶剂为甲苯，或氯苯，或乙醚，或乙酸乙酯；

步骤4.制备顶电极

通过磁控溅射法或真空蒸镀法在步骤3中的CsPbBr3薄膜表面沉积顶电极，其形状为圆或矩形，其直径或边长为50～900μm，其厚度为50～100nm。至此，即制得全无机钙钛矿阻变存储器。