1.一种改进的垂直结构光电探测器的制造方法，所述光电探测器包括光电探测芯片，其特征在于，光电探测芯片的制造包括：将高阻本征抛光区熔单晶硅片进行清洗，在高阻本征抛光区熔单晶硅片的上端制作P型掺杂，并形成P型掺杂层，并在P型掺杂层表面生长一层氧化层；

对高阻本征抛光区熔单晶硅片的下端进行减薄处理，制作N型掺杂，并形成N型掺杂层；

对高阻本征抛光区熔单晶硅片的P型掺杂层和N型掺杂层的表面双面金属化，形成第一金属层和第二金属层，并在第一金属层表面增加一层阻挡膜层；

使用划轮对高阻本征抛光区熔单晶硅片进行划片，形成沟槽；并腐蚀划片造成的损伤层；

通过低温等离子体增强化学的气相沉积法PECVD工艺在高阻本征抛光区熔单晶硅片镀增透及保护膜，去除第一金属层表面的阻挡膜层和镀的增透及保护膜，再次划片截断沟槽，形成光电探测芯片；

所述光电探测芯片的第二金属层焊接在基板的正极，光电探测芯片的第一金属层通过金丝连接到基板的负极；

其中，划片采取垂直切割，经过垂直切割的芯片可以令光束直接从侧面进去高阻本征抛光区熔单晶硅片。

2.根据权利要求1所述的一种改进的垂直结构光电探测器的制造方法，其特征在于，P型掺杂层表面生长的氧化层的厚度≥500nm。

3.根据权利要求1所述的一种改进的垂直结构光电探测器的制造方法，其特征在于，P型掺杂的工艺参考方块电阻3～10欧姆。

4.根据权利要求1所述的一种改进的垂直结构光电探测器的制造方法，其特征在于，N型掺杂的工艺参考方块电阻1～5欧姆。