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专利号: 2018101115744
申请人: 三峡大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
更新日期:2026-09-09
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种聚吡咯/导电碳布复合电极的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)清洗碳布:将碳布放置在质量浓度为3%-10%的稀盐酸中超声清洗6 10 min,再用乙~醇和去离子水反复冲洗后烘干待用;

(2)电解液的制备:将吡咯单体加入到去离子水中,磁力搅拌30 120min后,再加入高氯~酸钠,继续搅拌,得到电解液;

(3)聚吡咯的电化学沉积:使用电化学工作站的三电极体系,以碳布为工作电极,铂片电极为对电极,饱和甘汞电极为参比电极,在恒电压条件下,使聚吡咯沉积在碳布表面,即可得到聚吡咯/导电碳布复合电极。

2.根据权利要求1所述的聚吡咯/导电碳布复合电极的制备方法,其特征在于,步骤(2)中吡咯单体和水的体积比为1:10-20,高氯酸钠浓度为0.1 0.4M。

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3.根据权利要求1所述的聚吡咯/导电碳布复合电极的制备方法,其特征在于,步骤(2)中吡咯单体和水的体积比为1:15,高氯酸钠浓度为0.2 M。

4.根据权利要求1所述的聚吡咯/导电碳布复合电极的制备方法,其特征在于,步骤(3)中采用恒电压法聚合聚吡咯薄膜,恒电位法设置初始电压范围为0.6 0.9V,电化学沉积时~间为1 8min。

~

5.根据权利要求1所述的聚吡咯/导电碳布复合电极的制备方法,其特征在于,步骤(3)中采用恒电压法聚合聚吡咯薄膜,恒电位法设置初始电压范围为0.8V,电化学沉积时间为2 min。

6.权利要求1-4任一项所制备得到的聚吡咯/导电碳布复合电极在超级电容器上的应用。