1.一种半导体装置，其特征在于，包括：衬底；

形成在所述衬底上的多个滤色元件，每个滤色元件用于允许特定波长的光通过；以及形成在相邻两个滤色元件之间的隔离结构，用于防止光在滤色元件之间串扰；

其中，所述隔离结构包括光吸收结构。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述隔离结构还包括光反射结构，其中所述光吸收结构形成在所述光反射结构之上。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述隔离结构仅包括所述光吸收结构。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述光吸收结构由窄带隙半导体材料形成。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于：形成所述光吸收结构的窄带隙半导体材料包括下列中的一种或多种：锗、锗硅或砷化镓。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述光吸收结构由碳涂层形成。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述光吸收结构由针对不同波长的光的滤色元件组合得到。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于：所述光吸收结构由针对红色的滤色元件与针对蓝色的滤色元件堆叠得到。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述光反射结构包括下列中的一种或多种：钨、铝、二氧化硅或氮化硅。

10.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述衬底包括用于感测光的光电转换单元，所述滤色元件与所述光电转换单元对应。