1.一种半导体装置，其特征在于，包括：衬底；

形成在所述衬底上的多个滤色元件，每个滤色元件用于允许特定波长的光通过；以及形成在所有相邻的两个滤色元件之间的隔离结构，用于防止光在滤色元件之间串扰；

其中，所述隔离结构包括光吸收结构，并且所述隔离结构还包括光反射结构，其中所述光吸收结构形成在所述光反射结构之上。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述光吸收结构由窄带隙半导体材料形成。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于：形成所述光吸收结构的窄带隙半导体材料包括下列中的一种或多种：锗、锗硅或砷化镓。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述光吸收结构由碳涂层形成。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述光吸收结构由针对不同波长的光的滤色元件组合得到。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于：所述光吸收结构由针对红色的滤色元件与针对蓝色的滤色元件堆叠得到。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述光反射结构包括下列中的一种或多种：钨、铝、二氧化硅或氮化硅。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述衬底包括用于感测光的光电转换单元，所述滤色元件与所述光电转换单元对应。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于：所述光电转换单元被形成为临近所述衬底的背面，所述滤色元件和所述隔离结构位于所述衬底的背面上。

10.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：半导体装置还包括形成在所述衬底之上的固定电荷层，所述固定电荷层位于所述滤色元件和所述隔离结构之下。

11.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：半导体装置还包括抗反射层，所述抗反射层形成在所述滤色元件之上。

12.一种制造半导体装置的方法，其特征在于，包括：提供衬底；

在所述衬底之上形成隔离结构；

在所述衬底之上形成多个滤色元件，每个滤色元件用于允许特定波长的光通过；其中所述隔离结构布置在所有相邻的两个滤色元件之间，用于防止光在滤色元件之间串扰，所述隔离结构包括光吸收结构，以及所述隔离结构还包括光反射结构，其中所述光吸收结构形成在所述光反射结构之上。

13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于：所述光吸收结构由窄带隙半导体材料形成。

14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于：形成所述光吸收结构的窄带隙半导体材料包括下列中的一种或多种：锗、锗硅或砷化镓。

15.根据权利要求12所述的方法，其特征在于：所述光吸收结构由碳涂层形成。

16.根据权利要求12所述的方法，其特征在于：所述光吸收结构由针对不同波长的光的滤色元件组合得到。

17.根据权利要求16所述的方法，其特征在于：所述光吸收结构由针对红色的滤色元件与针对蓝色的滤色元件堆叠得到。

18.根据权利要求12所述的方法，其特征在于：所述光反射结构包括下列中的一种或多种：钨、铝、二氧化硅或氮化硅。

19.根据权利要求12所述的方法，其特征在于：所述衬底包括用于感测光的光电转换单元，所述滤色元件与所述光电转换单元对应。

20.根据权利要求12所述的方法，其特征在于：所述方法还包括在所述衬底之上形成固定电荷层，所述固定电荷层位于所述滤色元件和所述隔离结构之下。

21.根据权利要求12所述的方法，其特征在于：所述方法还包括在所述滤色元件之上形成抗反射层。