1.一种基于高电压低电流电能的蓄电放电装置，包括高电压低电流电能的采集模块、蓄电装置和负载接口电路，所述蓄电装置连接采集模块储存电能，所述蓄电装置连接负载接口电路为其供电，其特征在于：所述蓄电装置与负载接口电路之间还设置放电控制电路，所述放电控制电路包括：开关元件，受电路电压变化控制负载接口电路的导通、断开；

压值触发放电模块，当蓄电装置存储电压高于设定压值时，所述压值触发放电模块产生电势差，该电势差控制开关元件导通，令蓄电装置为负载接口电路供电；

所述压值触发放电模块的触发输入端连接蓄电装置的电压输出端VCC，所述压值触发放电模块的触发输出端连接开关元件的控制端，所述开关元件的导通输入端连接蓄电装置的电压输出端，所述开关元件的导通输出端连接负载接口电路的输入端；

所述压值触发放电模块设置有压敏电阻R1，所述压敏电阻R1的击穿电压值为所述压值触发放电模块的设定压值；

所述压敏电阻R1的一端连接蓄电装置的电压输出端VCC，另一端连接第二三极管Q2的基极，所述第二三极管Q2的集电极串接第三电阻R3后连接蓄电装置的电压输出端VCC，所述第二三极管Q2的集电极还连接有第二二极管D2的阴极，所述第二二极管D2的阳极连接开关元件的控制端，所述第二三极管Q2的发射极接地；

当蓄电装置的电压值不能击穿压敏电阻R1时，第二三极管Q2的基极处于低电势，则第二三极管Q2断路，其集电极处于高电势，第二二极管D2未导通，则开关元件的控制端与导通输入端同处于高电势，开关元件不导通；当蓄电装置的电压值达到能够击穿压敏电阻R1时，其后的第二三极管Q2的基极变为高电势，第二三极管Q2的集电极和发射极导通，集电极由高电势转为低电势，使第二二极管D2导通，令开关元件的控制端由高电势转为低电势，并与其导通输入端形成电势差，则开关元件的导通输入端与导通输出端导通，实现蓄电装置供电目的。

所述开关元件为P型MOS管Q1，所述P型MOS管Q1的栅极连接蓄电装置的电压输出端VCC，所述P型MOS管Q1的源极连接蓄电装置的电压输出端VCC，所述P型MOS管Q1的漏极连接负载接口电路的正压端。

2.根据权利要求1所述的基于高电压低电流电能的蓄电放电装置，其特征在于：所述放电控制电路还包括低压持续放电模块：当蓄电装置放电到电压值低于设定压值后，低压持续放电模块持续转换电势差控制所述开关元件导通，令蓄电装置持续输出；

所述低压持续放电模块的触发输入端连接开关元件的导通输出端，所述低压持续放电模块的触发输出端连接开关元件的控制端。

3.根据权利要求2所述的基于高电压低电流电能的蓄电放电装置，其特征在于：所述低压持续放电模块设置有电压比较器，所述电压比较器的正相输入端连接开关元件的导通输出端，所述电压比较器的反相输入端连接基准电压，所述电压比较器的输出端连接第三三极管Q3的基极，所述第三三极管Q3的集电极连接蓄电装置的电压输出端VCC，所述第三三极管Q3的集电极还连接有第三二极管D3的阴极，所述第三二极管D3的阳极连接开关元件的控制端，所述第三三极管Q3的发射极接地。

4.根据权利要求3所述的基于高电压低电流电能的蓄电放电装置，其特征在于：所述基准电压由基准电压芯片提供，所述基准电压芯片的输入脚连接开关元件的导通输出端，所述基准电压芯片的输出脚连接电压比较器的反相输入端，所述基准电压芯片的接地脚接地。

5.根据权利要求1所述的基于高电压低电流电能的蓄电放电装置，其特征在于：所述负载接口电路包括负载接口和工作信号灯模块，所述工作信号灯模块的正压端连接开关元件的导通输出端，所述工作信号灯模块的负压端接地。

6.根据权利要求5所述的基于高电压低电流电能的蓄电放电装置，其特征在于：所述工作信号灯模块设置有发光二极管D4，所述发光二极管D4的阳极串接第九电阻R9后连接开关元件的导通输出端，所述发光二极管D4的阴极接地。

7.根据权利要求1所述的基于高电压低电流电能的蓄电放电装置，其特征在于：所述采集模块与蓄电装置之间还设置有整流模块，所述整流模块为整流桥；

所述整流桥的整流输入端组连接采集模块的输出端组，所述整流桥的整流输出端组连接蓄电装置的正负极。

8.根据权利要求1‑7任一项所述的基于高电压低电流电能的蓄电放电装置，其特征在于：所述蓄电装置为蓄电电容C1，所述蓄电电容C1的一端连接采集模块的输出端，另一端接地；

所述蓄电电容C1的容值为1μF‑200μF。