利索能及
我要发布
收藏
专利号: 2018100694519
申请人: 三峡大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
更新日期:2025-11-13
缴费截止日期: 暂无
联系人

摘要:

权利要求书:

1.隔离开关开合过程中的VFTO建模分析方法,其特征在于:包括一种隔离开关开合过程仿真电路模型,该仿真电路模型包括:电源u、

电源侧线路内阻Ru、

电源侧线路电感Lu、

电源端口对地杂散电容Cu1、

电源连接线处对地杂散电容Cu2、

隔离开关DS、

隔离开关DS左侧对地杂散电容C1、

隔离开关DS右侧对地杂散电容C2、

隔离开关DS到负荷电容C之间连线的等效电阻RL、隔离开关DS到负荷电容C之间连线的等效电感LL、负荷电容C、

等效电阻R、

等效电感L、

电源u侧的接地电阻r1、

负荷电容C侧的接地电阻r2、

隔离开关DS开合过程中端口之间的电弧电阻r(t)、隔离开关DS开合过程中端口电容c(t);

所述电源u一端连接电源侧线路内阻Ru一端,电源侧线路内阻Ru另一端连接电源侧线路电感Lu一端,电源侧线路电感Lu另一端连接隔离开关DS一端,隔离开关DS另一端连接所述电弧电阻r(t)一端,所述电弧电阻r(t)另一端连接所述等效电阻RL一端,所述等效电阻RL另一端连接等效电感LL,等效电感LL连接负荷电容C一端,负荷电容C另一端连接所述接地电阻r2一端,所述接地电阻r2另一端接地;

所述电源u另一端分别连接:所述接地电阻r1一端、电源端口对地杂散电容Cu1另一端、电源连接线处对地杂散电容Cu2另一端、隔离开关DS左侧对地杂散电容C1另一端、隔离开关DS右侧对地杂散电容C2另一端、负荷电容C另一端;

所述电源端口对地杂散电容Cu1一端连接电源侧线路内阻Ru一端,所述电源连接线处对地杂散电容Cu2一端连接电源侧线路电感Lu另一端,所述隔离开关DS左侧对地杂散电容C1一端连接隔离开关DS一端,所述隔离开关DS右侧对地杂散电容C2一端连接所述等效电阻RL一端,所述接地电阻r1另一端接地,

所述隔离开关DS一端连接所述端口电容c(t)一端,所述端口电容c(t)另一端连接所述电弧电阻r(t)另一端,所述等效电阻R与负荷电容C并联,所述负荷电容C与所述等效电感L并联。

2.根据权利要求1所述隔离开关开合过程中的VFTO建模分析方法,其特征在于包括以下步骤:步骤1:根据实际隔离开关型号及开合速度,设置仿真电路模型参数,包括电压、各电阻、各电感、各电容值;尤其是要考虑电源端口等效电容、隔离开关DS左侧对地杂散电容C1、隔离开关DS右侧对地杂散电容C2、等效电阻R、等效电感L、电源u侧的接地电阻r1、负荷电容C侧的接地电阻r2、各参数可根据实际使用的电源u、隔离开关DS、负荷电容C型号等进行计算,接地电阻大小通过对实际线路进行测量得到;

步骤2:仿真步长的设定:仿真步长设定的间隔时间应足够短,这里取1ns或者更小;

步骤3:隔离开关DS电弧重燃或熄灭的过程,考虑电弧电阻r(t)的时变模型、及隔离开关DS的端口电容c(t)的时变模型。

3.根据权利要求2所述隔离开关开合过程中的VFTO建模分析方法,其特征在于:所述隔离开关DS开合过程中端口之间的电弧电阻r(t)及端口电容c(t),其值得表达式为:r(t)=r0(1+a*e-t/b)  (1)c(t)=c0*k*t  (2)

上面公式(1)、(2)中,r0为初始电阻,取值一般小于1Ω;c0为初始电容,取值为pF级;a、b、k分别为相应的系数,其中a的取值一般为106级,b的取值一般为10-9级,k的取值可根据隔离开关开合速度而变化,实际中可取1。

4.如权利要求1或2或3所述隔离开关开合过程中的VFTO建模分析方法,其特征在于:用于对隔离开关开合过程中的VFTO幅值、相位、频率参数进行建模分析。