1.一种智能庭院LED灯，其特征在于，包括：灯柱(60)、驱动电路(65)、散热基座(64)、灯杯(62)、灯罩(61)和LED灯源(63)；其中，所述驱动电路(65)位于所述灯柱(60)内部；

所述散热基座(64)位于所述灯柱(60)上；

所述灯杯(62)位于所述散热基座(64)上；

所述灯罩(61)位于所述灯杯(62)上；

其中，所述LED灯源(63)为包括白光、绿光、红光以及蓝光的四色LED芯片；所述四色LED芯片包括：依次横向设置的第一蓝光外延层(10A)、黄光外延层(20)、绿光外延层(30)、红光外延层(40)以及第二蓝光外延层(10B)，相邻外延层之间设置有SiO2隔离层；其中，所述第一蓝光外延层(10A)和所述第二蓝光外延层(10B)的材料相同，自下而上包括：第一GaN缓冲层(101)、第一GaN稳定层(102)、第一n型GaN层(103)、第一多量子阱层(104)、第一AlGaN阻挡层(105)以及第一p型GaN(106)；其中，所述第一多量子阱层(104)为第一GaN势垒层(104 a)和第一InGaN量子阱层(101b)依次周期性层叠分布；

所述黄光外延层(20)，自下而上包括：第二GaN缓冲层(201)、第二GaN稳定层(202)、第二n型GaN层(203)、第二多量子阱层(204)、第二AlGaN阻挡层(205)以及第二p型GaN层(206)；其中，所述第二多量子阱层(204)为第二GaN势垒层(204a)和第二nGaN量子阱层(204b)依次周期性层叠分布；

所述绿光外延层(30)，自下而上包括：第三GaN缓冲层(301)、第三GaN稳定层(302)、第三n型GaN层(303)、第三多量子阱层(304)、第三AlGaN阻挡层(305)以及第三p型GaN层(306)；其中，所述第三多量子阱层(304)为第三GaN势垒层(304a)和第三nGaN量子阱层(304b)依次周期性层叠分布；

所述红光外延层(40)，自下而上包括：第四GaN缓冲层(401)、n型GaAs缓冲层(402)、n型GaAs稳定层(403)、第四多量子阱层(404)、p型A1GaInP阻挡层(405)以及p型GaAs层(406)；

其中，所述第四多量子阱层(404)为GalnP势垒层(404a)和A1GaInP量子阱层(404b)依次周期性层叠分布；

所述第一蓝光外延层(10A)发出的蓝光和所述黄光外延层(20)发出的黄光混合形成所述四色LED芯片的白光，所述绿光外延层(30)形成所述四色LED芯片的绿光，所述红光外延层(40)形成所述四色LED芯片的红光，所述第二蓝光外延层(10B)形成所述四色LED芯片的蓝光。

2.如权利要求1所述的庭院LED灯，其特征在于，还包括处理器(66)、通信模块(67)、RTC(68)以及传感器(69)，其中，所述处理器(66)、所述通信模块(67)、所述RTC(68)以及所述传感器(69)均位于所述灯柱(60)内部，所述处理器(66)分别与所述驱动电路(65)、所述通信模块(67)、所述RTC(68)以及所述传感器(69)电连接。

3.如权利要求1所述的庭院LED灯，其特征在于，所述灯柱(60)的材料为PCB阻燃材料。

4.如权利要求1所述的庭院LED灯，其特征在于，所述灯杯(62)的材料为透明玻璃，所述灯罩(61)为钢化玻璃。

5.如权利要求1所述的庭院LED灯，其特征在于，所述散热基座(64)的材料为金属，其中，所述散热基座(64)上设置多个散热通风孔。

6.如权利要求2所述的庭院LED灯，其特征在于，所述传感器(69)包括温度传感器、湿度传感器以及光传感器。

7.如权利要求1所述的庭院LED灯，其特征在于，所述四色LED芯片还包括多个正电极，分别设置于所述第一蓝光外延层(10A)、所述黄光外延层(20)、所述绿光外延层(30)、所述红光外延层(40)以及所述第二蓝光外延层(10B)上。

8.如权利要求1所述的庭院LED灯，其特征在于，所述四色LED芯片还包括负电极，其中，所述负电极为所述四色LED芯片的共用负电极。