1.一种基于横向二极管的TSV转接板，其特征在于，包括：Si衬底(101)；

TSV区(102)，设置于所述Si衬底(101)内；所述TSV区(102)内的材料为多晶硅；

隔离区(103)，设置于所述Si衬底(101)内并位于所述TSV区(102)之间；隔离沟槽上下宽度一致；

横向二极管(104)，设置于所述Si衬底(101)内且位于所述隔离区(103)形成的横向封闭区域内，所述二极管周边被SiO2绝缘层包围；所述横向二极管(104)基于N-掺杂的多晶硅

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填充，掺杂浓度为5×10 cm ，掺杂杂质为磷；

互连线(105)，对所述TSV区(102)的第一端面和所述横向二极管(104)进行串行连接；

所述串行连接的方式包括：所述第一端面和邻近所述第一端面的横向二极管(104)中靠近所述第一端面的一个电极通过所述互连线(105)连接；邻近所述第一端面的横向二极管(104)的另一个电极与相邻的横向二极管(104)的较近的一个电极通过所述互连线(105)连接；

其中，所述TSV区(102)和所述隔离区(103)均上下贯通所述Si衬底(101)；所述TSV区(102)和所述隔离区(103)的深度为40～80μm。

2.根据权利要求1所述的TSV转接板，其特征在于，所述TSV区(102)内所述多晶硅的掺杂浓度为2×1021cm-3，掺杂杂质为磷。

3.根据权利要求1所述的TSV转接板，其特征在于，所述隔离区(103)内的材料为SiO2或未掺杂多晶硅。

4.根据权利要求1所述的TSV转接板，其特征在于，所述TSV区(102)的第一端面和所述横向二极管(104)与互连线(105)之间设置有钨插塞。

5.根据权利要求1所述的TSV转接板，其特征在于，所述TSV区(102)的第二端面上设置有钨插塞和金属凸点(106)。

6.根据权利要求5所述的TSV转接板，其特征在于，所述金属凸点(106)的材料为铜。

7.根据权利要求1所述的TSV转接板，其特征在于，所述TSV转接板还包括设置于所述Si衬底(101)的上表面和下表面的绝缘层。