1.一种基于横向二极管的TSV转接板，其特征在于，包括：Si衬底(101)；

TSV区(102)，设置于所述Si衬底(101)内；

隔离区(103)，设置于所述Si衬底(101)内并位于所述TSV区(102)之间；

横向二极管(104)，设置于所述Si衬底(101)内且位于所述隔离区(103)形成的横向封闭区域内；

互连线(105)，对所述TSV区(102)的第一端面和所述横向二极管(104)进行串行连接。

2.根据权利要求1所述的TSV转接板，其特征在于，所述TSV区(102)内的材料为多晶硅，所述多晶硅的掺杂浓度为2×1021cm-3，掺杂杂质为磷。

3.根据权利要求1所述的TSV转接板，其特征在于，所述TSV区(102)和所述隔离区(103)均上下贯通所述Si衬底(101)。

4.根据权利要求1所述的TSV转接板，其特征在于，所述隔离区(103)内的材料为SiO2或未掺杂多晶硅。

5.根据权利要求1所述的TSV转接板，其特征在于，所述TSV区(102)的第一端面和所述横向二极管(104)与互连线(105)之间设置有钨插塞。

6.根据权利要求1所述的TSV转接板，其特征在于，所述TSV区(102)的第二端面上设置有钨插塞和金属凸点(106)。

7.根据权利要求6所述的TSV转接板，其特征在于，所述金属凸点(106)的材料为铜。

8.根据权利要求1所述的TSV转接板，其特征在于，所述TSV转接板还包括设置于所述Si衬底(101)的上表面和下表面的绝缘层。

9.根据权利要求1所述的TSV转接板，其特征在于，所述TSV区(102)和所述隔离区(103)的深度为40～80μm。