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专利号: 2017113512923
申请人: 西安科锐盛创新科技有限公司
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 基本电气元件
更新日期:2024-10-29
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种基于横向二极管的TSV转接板,其特征在于,包括:Si衬底(101);

TSV区(102),设置于所述Si衬底(101)内;

隔离区(103),设置于所述Si衬底(101)内并位于所述TSV区(102)之间;

横向二极管(104),设置于所述Si衬底(101)内且位于所述隔离区(103)形成的横向封闭区域内;

互连线(105),对所述TSV区(102)的第一端面和所述横向二极管(104)进行串行连接。

2.根据权利要求1所述的TSV转接板,其特征在于,所述TSV区(102)内的材料为多晶硅,所述多晶硅的掺杂浓度为2×1021cm-3,掺杂杂质为磷。

3.根据权利要求1所述的TSV转接板,其特征在于,所述TSV区(102)和所述隔离区(103)均上下贯通所述Si衬底(101)。

4.根据权利要求1所述的TSV转接板,其特征在于,所述隔离区(103)内的材料为SiO2或未掺杂多晶硅。

5.根据权利要求1所述的TSV转接板,其特征在于,所述TSV区(102)的第一端面和所述横向二极管(104)与互连线(105)之间设置有钨插塞。

6.根据权利要求1所述的TSV转接板,其特征在于,所述TSV区(102)的第二端面上设置有钨插塞和金属凸点(106)。

7.根据权利要求6所述的TSV转接板,其特征在于,所述金属凸点(106)的材料为铜。

8.根据权利要求1所述的TSV转接板,其特征在于,所述TSV转接板还包括设置于所述Si衬底(101)的上表面和下表面的绝缘层。

9.根据权利要求1所述的TSV转接板,其特征在于,所述TSV区(102)和所述隔离区(103)的深度为40~80μm。