1.一种无铅反铁电体陶瓷材料，其特征在于，化学计量式为：0.775Na0.5Bi0.5TiO3-

0.225BaSnO3-xwt%MgO，0

2.一种无铅反铁电体陶瓷材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一：将Na0.5Bi0.5TiO3粉体、BaSnO3粉体和MgO粉体按照化学计量式

0.775Na0.5Bi0.5TiO3-0.225BaSnO3-xwt%MgO，0

步骤二：将全配料进行球磨，烘干、过筛，形成过筛料；

步骤三：将过筛料压制成坯体，并将制好的坯体进行烧结得到烧结陶瓷。

3.根据权利要求2所述的一种无铅反铁电体陶瓷材料的制备方法，其特征在于，步骤一中BaSnO3粉体由包括以下步骤的方法得到：首先按照摩尔比1:1称取BaCO3和SnO2混合形成混合物A；然后取混合物A、锆球石及去离子水按照质量比为1:5:1混合后依次进行球磨、烘干和压块，最后于1100 1200℃保温2.5 3小时，得到纯相的BSN粉体。

~ ~

4.根据权利要求2所述的一种无铅反铁电体陶瓷材料的制备方法，其特征在于，步骤一中Na0.5Bi0.5TiO3粉体由包括以下步骤的方法得到：首先按照摩尔比1:1:4称取Na2CO3、Bi2O3和TiO2混合形成混合物B；然后取混合物B、锆球石及去离子水按照质量比为1:5:1混合后依次进行球磨、烘干、于820 840℃煅烧3 4小时，得到粉体C；取粉体C在同样的条件下再次球~ ~磨、烘干、煅烧得到纯相的NBT粉体。

5.根据权利要求2所述的一种无铅反铁电体陶瓷材料的制备方法，其特征在于，步骤二中将全配料在全配料与氧化锆球石、去离子水质量比1:5:1的条件下，混合后充分球磨。

6.根据权利要求2所述的一种无铅反铁电体陶瓷材料的制备方法，其特征在于，步骤三中的压制成型，在200 220MPa的压强下，通过冷等静压压制成坯体。

~

7.根据权利要求2所述的一种无铅反铁电体陶瓷材料的制备方法，其特征在于，步骤三中的烧结，在箱式炉中，过程具体为：首先以100min升温至500℃，保温3 min，接着以100min升温至1000℃时保温30min；140min升温至1140℃时保温120min，然后70min降温至1000℃，接着以100min降温至500℃最后随炉冷却至室温。

8.一种利用权利要求2所述方法得到的陶瓷材料制备0.775Na0.5Bi0.5TiO3-

0.225BaSnO3-xwt%MgO陶瓷基无铅高储能密度陶瓷材料的方法，其特征在于，包括以下步骤：打磨、清洗烧结陶瓷，在烧结陶瓷表面涂覆银电极浆料，将涂覆银电极的陶瓷材料进行烧结，得到0.775Na0.5Bi0.5TiO3-0.225BaSnO3-xwt%MgO陶瓷基无铅高储能密度陶瓷材料。

9.根据权利要求8所述的一种0.775Na0.5Bi0.5TiO3-0.225BaSnO3-xwt%MgO陶瓷基无铅高储能密度陶瓷材料的制备方法，其特征在于，涂覆银电极的陶瓷材料的烧结条件为：在580~

600℃的温度下烧结10 20min。

~

10.根据权利要求8或9所述方法制备的0.775Na0.5Bi0.5TiO3-0.225BaSnO3-xwt%MgO陶瓷基无铅高储能密度陶瓷材料。