1.一种基于光热效应的可控量子点阵列制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一，选择确定基片材料，并对所述基片材料进行表面清洁；

步骤二，使用物理气相淀积法制备金属薄膜，所述金属薄膜的厚度为0.5～200nm；

步骤三，将所述金属薄膜在真空条件或保护气氛下进行退火处理，制备得到金属纳米颗粒阵列；

步骤四，在所述金属纳米颗粒阵列之上进行淀积或氧化生长保护层，所述保护层为氧化物或氮化物；

步骤五，将载有所述金属纳米颗粒阵列的所述基片置于量子点前驱体溶液中，使用光源对所述金属纳米颗粒阵列进行固定或扫描照射处理，所述光源功率密度为0.1～5W/cm2，所述光源为脉冲式或连续式激光；

步骤六，步骤五结束后，对所述基片使用三氯甲烷进行超声清洗，然后用乙醇对所述基片进行超声清洗，制备得到可控量子点阵列。

2.如权利要求1所述的一种基于光热效应的可控量子点阵列制备方法，其特征在于，步骤一中所述基片材料为半导体、氧化物或高分子聚合物材料。

3.如权利要求1所述的一种基于光热效应的可控量子点阵列制备方法，其特征在于，步骤二中所述金属薄膜成分由Au、Ag、Cu、Al、In、Pt和Pd中的任一种或几种组成。

4.如权利要求1所述的一种基于光热效应的可控量子点阵列制备方法，其特征在于，步骤二中所述物理气相淀积法中的淀积为溅射淀积、脉冲激光淀积和蒸镀淀积的任一种。

5.如权利要求1所述的一种基于光热效应的可控量子点阵列制备方法，其特征在于，步骤三中所述金属纳米颗粒阵列可通过光刻方法制备，代替所述退火处理。

6.如权利要求1所述的一种基于光热效应的可控量子点阵列制备方法，其特征在于，步骤四中所述保护层厚度为0.1～100nm。

7.如权利要求1所述的一种基于光热效应的可控量子点阵列制备方法，其特征在于，步骤五中所述量子点前驱体溶液处于流动状态。