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专利号: 2017112404461
申请人: 威创集团股份有限公司
专利类型:发明专利
专利状态:无效专利
更新日期:2024-12-09
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种制冷片的供电系统,其特征在于,包括升降压式变换电路、温度检测电路以及主控芯片;

所述主控芯片的控制端连接升降压式变换电路的控制端,主控芯片的检测端连接所述温度检测电路连接制冷片,所述升降压式变换电路的输入端连接外部电源,所述升降压式变换电路的输出端连接制冷片的正端;

所述温度检测电路检测制冷片中散热片处的温度信息,将所述温度信息发送至主控芯片;

所述主控芯片读取所述温度信息,根据所述温度信息产生供电控制信号,将所述供电控制信号发送至升降压式变换电路;

所述升降压式变换电路根据所述供电控制信号对输出至所述制冷片的电压进行控制。

2.根据权利要求1所述的制冷片的供电系统,其特征在于,所述升降压式变换电路包括升降压控制芯片和功率控制电路;

所述升降压控制芯片通过所述功率控制电路连接制冷片的正端,升降压控制芯片的输入端连接外部电源,升降压控制芯片的控制端连接主控芯片的控制端;

所述升降压控制芯片接收供电控制信号,根据所述供电控制信号输出供电信号至所述功率控制电路;

所述功率控制电路接收所述供电信号,根据所述供电信号为所述制冷片供电。

3.根据权利要求2所述的制冷片的供电系统,其特征在于,所述功率控制电路包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一电容、第二电容、第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管和电感;

所述升降压控制芯片的输入电流信号检测电阻正端依次通过所述第一电阻和第一电容接地,升降压控制芯片的第一上端MOS管驱动端连接第一MOS管的栅极,所述第一MOS管的漏极通过第一电容接地,第一MOS管的源极通过电感连接第二MOS管的源极,第一MOS管的源极还连接第三MOS管的漏极,第三MOS管的栅极连接升降压控制芯片的第一下端MOS管驱动端,第三MOS管的源极通过第三电阻接地,第二MOS管的栅极连接升降压控制芯片的第二上端MOS管驱动端,第二MOS管的漏极通过第二电阻连接制冷片的正端,第二MOS管的漏极通过第二电容接地,第二MOS管的漏极还连接升降压控制芯片的电流信号检测电阻正端,第二MOS管的源极连接第四MOS管的漏极,第四MOS管的栅极连接升降压控制芯片的第二下端MOS管驱动端,第四MOS管的源极连接升降压控制芯片的功率检测电阻正端。

4.根据权利要求3所述的制冷片的供电系统,其特征在于,还包括第四电阻,所述第四电阻连接在制冷片的负端和地端之间。

5.根据权利要求1至4任一项所述的制冷片的供电系统,其特征在于,还包括DA转换器,所述DA转换器连接在主控芯片的控制端与升降压式变换电路的控制端之间;

所述DA转换器用于将主控芯片产生的供电控制信号转换为模拟控制信号,并输出至所述升降压式变换电路。

6.根据权利要求1至4任一项所述的制冷片的供电系统,其特征在于,还包括AD转换器,所述AD转换器的输入端连接所述温度检测电路,AD转换器的输出端连接主控芯片的检测端;

所述AD转换器用于将所述温度信息转换为数字温度信号,并输出至主控芯片。

7.根据权利要求6的制冷片的供电系统,其特征在于,所述AD转换器的输入端还连接所述升降压式变换电路的输出端;

所述AD转换器读取升降压式变换电路输出的供电信号,将所述供电信号转换为数字电信号,并输出主控芯片。

8.根据权利要求7所述的制冷片的供电系统,其特征在于,还包括告警器,所述告警器连接主控芯片的告警信号输出端;

所述告警器在接收到主控芯片输出的告警信号后进行告警;

所述主控芯片检测到所述温度信息在预设的温度范围之外,或所述供电信号在预设的供电范围之外时,生成告警信号,并输出至告警器。

9.根据权利要求1至4任一项所述的制冷片的供电系统,其特征在于,所述主控芯片为CPLD可编程逻辑器件。

10.根据权利要求1至4任一项所述的制冷片的供电系统,其特征在于,所述温度检测电路包括热敏电阻,所述热敏电阻贴合在制冷片的散热片连接层;

所述热敏电阻用于感应散热片处的温度信息。