1.一种变频感应加热电路，其特征在于，包括加热电路、显示器和单片机电源电路，所述单片机电源电路分别与显示器和加热电路相连，所述加热电路与显示器相连，所述加热电路包括依次连接的单片机控制模块、光电耦合电路、半桥驱动放大电路、IJBT全桥模块和全桥控制电路，所述光电耦合电路还分别与IJBT全桥模块和全桥控制电路相连；所述光电耦合电路包括光耦U2、光耦U3、光耦U4、光耦U5和光耦U6，所述光耦U2、光耦U3、光耦U4、光耦U5和光耦U6的型号均为PC817，所述光耦U2的第2管脚、光耦U3的第2管脚、光耦U4的第2管脚、光耦U5的第2管脚、光耦U6的第2管脚均连接到地，所述光耦U2的第1管脚通过电阻R1与单片机U1的第10管脚相连，所述光耦U2的第3管脚与全桥控制电路相连，所述光耦U2的第4管脚与电源电路的信号输出端相连，所述光耦U3的第1管脚通过电阻R2与单片机U1的第32管脚相连，所述光耦U3的第3管脚与半桥驱动放大电路相连，所述光耦U3的第4管脚通过电阻R6分别与半桥驱动放大电路、IJBT全桥模块和VCC相连，所述光耦U4的第1管脚通过电阻R3与单片机U1的第1管脚相连，所述光耦U4的第4管脚与半桥驱动放大电路相连，所述光耦U4的第3管脚通过电阻R7与半桥驱动放大电路相连并连接到地，所述光耦U5的第1管脚通过电阻R4与单片机U1的第2管脚相连，所述光耦U5的第3管脚与半桥驱动放大电路相连，所述光耦U5的第4管脚通过电阻R8分别与半桥驱动放大电路、IJBT全桥模块和VCC相连，所述光耦U6的第1管脚通过电阻R5与单片机U1的第9管脚相连，所述光耦U6的第3管脚通过电阻R9与半桥驱动放大电路相连并连接到地，所述光耦U6的第4管脚与半桥驱动放大电路相连。

2.根据权利要求1所述的变频感应加热电路，其特征在于，所述单片机控制模块包括单片机U1、时钟电路、I2C通信接口、低频输入按钮和复位电路，所述单片机U1与显示器通过I2C通信接口相连，所述单片机U1的型号为ATMEGA328P；所述时钟电路包括电容C1、电容C2和晶振X1，所述电容C1的一端和晶振X1的一端均连接单片机U1的第7管脚，所述电容C2的一端和晶振X1的另一端均连接单片机U1的第8管脚，所述电容C1的另一端和电容C2的另一端均连接到地；所述I2C通信接口包括SDA接口和SCL接口，所述SDA接口与单片机U1的第26脚相连，所述SCL接口与单片机的第27脚相连；所述低频输入按钮包括按钮K1、按钮K2和按钮K3，所述按钮K1的一端与单片机U1的第23管脚相连，所述按钮K2的一端与单片机U1的第24管脚相连，所述按钮K3的一端与单片机U1的第25管脚相连，所述按钮K1的另一端、按钮K2的另一端和按钮K3的另一端均连接到地；所述复位电路包括复位按钮K0和复位电阻R0，所述复位按钮KO的一端和复位电阻R0的一端均连接到单片机U1的第29管脚，所述复位按钮K0的另一端连接到地，所述复位电阻R0的另一端分别与单片机U1的第18管脚和单片机电源电路的+5V输出电压相连；

所述半桥驱动放大电路包括半桥驱动器U7和半桥驱动器U8，所述半桥驱动器U7和半桥驱动器U8的型号均为IR2106，所述半桥驱动器U7的第1管脚分别与电阻R6、VCC和二极管D1的正极相连，所述半桥驱动器U7的第2管脚与光耦U4的第4管脚相连，所述半桥驱动器U7的第3管脚与光耦U3的第3管脚相连，所述半桥驱动器U7的第4管脚连接电阻R7并连接到地，所述半桥驱动器U7的第5管脚通过电阻R11与IJBT全桥模块相连，所述半桥驱动器U7的第6管脚分别与IJBT全桥模块和电容C3的一端相连，所述半桥驱动器U7的第7管脚通过电阻R10与IJBT全桥模块相连，所述半桥驱动器U7的第8管脚分别与电容C3的另一端和二极管D1的负极相连，所述半桥驱动器U8的第1管脚分别与电阻R8、VCC和二极管D2的正极相连，所述半桥驱动器U8的第2管脚与光耦U6的第4管脚相连，所述半桥驱动器U8的第3管脚与光耦U5的第3管脚相连，所述半桥驱动器U8的第4管脚连接电阻R9并连接到地，所述半桥驱动器U8的第5管脚通过电阻R13与IJBT全桥模块相连，所述半桥驱动器U8的第6管脚分别与电容C4的一端和IJBT全桥模块相连，所述半桥驱动器U8的第7管脚通过电阻R12与IJBT全桥模块相连，所述半桥驱动器U8的第8管脚分别与电容C4的另一端和二极管D2的负极相连。

3.根据权利要求2所述的变频感应加热电路，其特征在于，所述IJBT全桥模块包括场效应晶体管Q1、场效应晶体管Q2、场效应晶体管Q3、场效应晶体管Q4、电容C7和感应线圈L1，所述场效应晶体管Q1的栅极与电容R10相连，所述场效应晶体管Q1的源极分别与半桥驱动器U7的第6管脚、电容C7的一端和场效应晶体管Q2的漏极相连，所述场效应晶体管Q1的漏极分别与场效应晶体管Q3的漏极和全桥控制电路相连，所述场效应晶体管Q2的栅极通过R11与半桥驱动器U7的第5管脚相连，所述场效应晶体管Q2的源极分别与场效应晶体管Q4的的源极和全桥控制电路相连，所述场效应晶体管Q3的栅极通过电阻R12与半桥驱动器U8的第7管脚相连，所述场效应晶体管Q3的源极分别与感应线圈L1的一端、半桥驱动器U8的第6管脚和场效应晶体管Q4的漏极相连，所述感应线圈L1的另一端与电容C7的另一端相连，所述场效应晶体管Q4的栅极通过电阻R13与半桥驱动器U8的第5管脚相连。

4.根据权利要求3所述的变频感应加热电路，其特征在于，所述全桥控制电路包括二极管D3、继电器RL1、全桥整流电路BR1、熔断器FU1和刀开关SW1，所述继电器RL1的线圈一端分别与二极管D3的负极和光耦U2的第3管脚相连，所述继电器RL1的线圈另一端与二极管D3的正极相连并连接到地，所述继电器RL1的触点一端与全桥整流电路BR1的1端相连，所述继电器RL1的触点另一端通过熔断器FU1和刀开关SW1与220V电源相连，所述全桥整流电路BR1的

2端分别与场效应晶体管Q1的漏极和场效应晶体管Q3的漏极相连，所述全桥整流电路BR1的

3端通过刀开关SW1与220V电源相连，所述全桥整流电路BR1的4端分别与场效应晶体管Q2的源极和场效应晶体管Q4的源极相连。

5.根据权利要求4所述的变频感应加热电路，其特征在于，所述全桥整流电路BR1的2端还分别与电容C8的一端和VCC相连，所述全桥整流电路BR1的4端还和电容C8的另一端共同连接到地。

6.根据权利要求1所述的变频感应加热电路，其特征在于，所述单片机电源电路包括稳压器U9、电容C5、电容C6、电容C7、电容C8、全桥整流电路BR2和变压器T1，所述稳压器U9的型号为78L05，所述变压器T1的初级线圈与220V输入电压相连，所述变压器T1的次级线圈分别与全桥整流电路BR2的1端和3端相连，所述全桥整流电路BR2的2端分别与电容C8的一端、电容C7的一端和稳压器U9的3端相连，所述全桥整流电路BR2的4端与电容C8的另一端、电容C7的另一端、稳压器U9的2端、电容C6的一端和电容C5的一端均连接到地，所述电容C6的另一端和电容C5的另一端连接到稳压器U9的1端产生+5V输出电压。