1.一种抗外源干扰的一体式红外LED封装结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1  .将金属基板与陶瓷基板结合，将具有开口区域的反射层通过焊接或胶粘连的方式固定于陶瓷基板上，所述陶瓷基板部分裸露于所述开口区域；

S2 .在所述开口区域裸露的陶瓷基板上设置PCB板；

S3 .通过胶粘连的方式将LED芯片固定于所述PCB板上，将所述LED芯片和PCB板电连接；

S4  .在所述开口区域涂覆有机硅环氧树脂层，并于有机硅环氧树脂层内部在所述LED芯片和PCB板两端设置第一散热通道；

S5  .通过胶粘连的方式将抗干扰层固定于所述反射层上，在抗干扰层表面设置中空透光载体，通入惰性气体成为惰性气体层；

S6  .在所述惰性气体层上涂覆荧光粉层，所述荧光粉层为(Sr  ,Ca)AlSiN3:Eu2+氮化物荧光粉层。

2.根据权利要求1所述抗外源干扰的一体式红外LED封装结构的制备方法，其特征在于，所述一体式红外LED封装结构包括金属基板、陶瓷基板、反射层、抗干扰层、惰性气体层、荧光粉层，所述陶瓷基板设置于所述金属基板上方，所述反射层设置于所述陶瓷基板上，所述反射层上设有开口区域，且所述陶瓷基板部分裸露于所述开口区域；所述开口区域内部设有PCB板、LED芯片，所述PCB板设于所述陶瓷基板上方，所述LED芯片设于所述PCB板上方，所述PCB板、LED芯片外侧设有有机硅环氧树脂层；所述抗干扰层设于所述反射层的上方，所述荧光粉层设于所述抗干扰层的上方，所述荧光粉层与所述抗干扰层之间设有惰性气体层。

3.根据权利要求1所述抗外源干扰的一体式红外LED封装结构的制备方法，其特征在于，所述有机硅环氧树脂层内部于所述PCB板、LED芯片的两侧设有第一散热通道。

4.根据权利要求1所述抗外源干扰的一体式红外LED封装结构的制备方法，其特征在于，所述陶瓷基板的内部对侧设有第二散热通道。

5.根据权利要求4所述抗外源干扰的一体式红外LED封装结构的制备方法，其特征在于，所述第二散热通道的水平截面为“S”型。

6.根据权利要求1所述抗外源干扰的一体式红外LED封装结构的制备方法，其特征在于，所述有机硅环氧树脂层距离所述LED芯片较远的表面为球面结构。

7.根据权利要求6所述抗外源干扰的一体式红外LED封装结构的制备方法，其特征在于，所述球面结构的表面的直径为1 .2‑2 .8mm。

8.根据权利要求1所述抗外源干扰的一体式红外LED封装结构的制备方法，其特征在于，所述反射层的水平截面为相向设置的直角梯形，所述直角梯形为圆弧型曲边的直角梯形。

9.根据权利要求1所述抗外源干扰的一体式红外LED封装结构的制备方法，其特征在于，所述荧光粉层、惰性气体层、抗干扰层的厚度比为1‑1 .5:1 .2:1 .2‑1 .6。

10.根据权利要求1所述抗外源干扰的一体式红外LED封装结构的制备方法，其特征在于，所述金属基板为铝基板。