1.一种具有高输入电容的阴极短路栅控晶闸管，其元胞结构包括从下至上依次层叠设置的阳极(9)、阳极P+区(5)、N漂移区(4)和阴极(8)；所述N漂移区(4)上层具有以元胞垂直中线呈对称分布的2个P阱区(2)，所述P阱区(2)上层具有N阱区(1)，所述N阱区(1)上层具有阴极P+区(3)，且阴极P+区(3)位于远离另一个P阱区的一侧；在元胞两端及中部的阴极(8)与N漂移区(4)之间具有栅极(7)，且所述栅极(7)通过介质层(6)与阴极(8)以及N漂移区(4)隔离；所述P阱区(2)和N阱区(1)两端的上表面位于栅极(7)下方，所述阴极P+区(3)的一部分位于栅极(7)下方，另一部分与阴极(8)接触。

2.根据权利要求1所述的一种具有高输入电容的阴极短路栅控晶闸管，其特征在于，所述位于元胞中部的栅极(7)，在沿器件同时垂直于水平面和垂直面的第三维方向，其中部的一段部分被阴极(8)隔离为以元胞垂直中线呈对称分布的两部分，且该两部分栅极(7)下方具有P型注入区，该P型注入区用于连接两侧分离的P阱区(2)并将其短接到阴极(8)。