1.一种高分配比可重构功分器，包括金属接地板(5)和介质基板(6)，所述介质基板(6)设置在金属接地板(5)上，其特征在于：还包括分别设置在介质基板(6)上的3dB Wilkinson功分器(1)、3dB分支线耦合器(2)、第一π型等效传输线(3)和第二π型等效传输线(4)；

所述3dB Wilkinson功分器(1)分别与第一π型等效传输线(3)、第二π型等效传输线(4)连接，第一π型等效传输线(3)、第二π型等效传输线(4)分别与3dB分支线耦合器(2)连接；

所述3dB Wilkinson功分器(1)包括第一微带线(11)、第二微带线(12)、第三微带线(13)和隔离电阻R，隔离电阻R的两端分别与第二微带线(12)的右端和第三微带线(13)的右端连接，第二微带线(12)的左端以及第三微带线(13)的左端均与第一微带线(11)的右端连接，第一微带线(11)的左端作为射频信号的输入端；

所述3dB分支线耦合器(2)包括第四微带线(21)、第五微带线(22)、第六微带线(23)、第七微带线(24)、第八微带线(25)和第九微带线(26)，第四微带线(21)的两端分别与第五微带线(22)的左端、第六微带线(23)的左端连接，第七微带线(24)的两端分别与第五微带线(22)的右端、第六微带线(23)的右端连接，第五微带线(22)的右端还与第八微带线(25)的左端连接，第六微带线(23)的右端还与第九微带线(26)的左端连接，第八微带线(25)的右端和第九微带线(26)的右端分别作为射频信号的输出端；

所述第一π型等效传输线(3)包括第十微带线(31)、隔离电容C3、隔离电容C4、变容二极管D3和变容二极管D4；所述第十微带线(31)的左端经隔离电容C3、变容二极管D3后接地，第十微带线(31)的左端还与第二微带线(12)的右端连接；第十微带线(31)的右端经隔离电容C4、变容二极管D4后接地，第十微带线(31)的右端还与第五微带线(22)的左端连接；

所述第二π型等效传输线(4)包括第十一微带线(41)、隔离电容C1、隔离电容C2、变容二极管D1和变容二极管D2；第十一微带线(41)的左端经隔离电容C1、变容二极管D1后接地，第十一微带线(41)的左端还与第三微带线(13)的右端连接，第十一微带线(41)的右端经隔离电容C2、变容二极管D2后接地，第十一微带线(41)的右端还与第六微带线(23)的左端连接；

在所述变容二极管D3的两端以及变容二极管D4的两端分别施加反向直流偏置电压V2；

在所述变容二极管D1的两端以及变容二极管D2的两端分别施加反向直流偏置电压V1；

且V2＝Vmax-V1；

其中：Vmax为变容二极管D1、变容二极管D2、变容二极管D3和变容二极管D4工作时的最大反向偏置电压。

2.根据权利要求1所述的高分配比可重构功分器，其特征在于：所述第一微带线(11)、第八微带线(25)和第九微带线(26)的特征阻抗为Z0，物理长度为λ/4；

所述第二微带线(12)、第三微带线(13)的特征阻抗为 物理长度为λ/4；所述第五微带线(22)、第六微带线(23)的特征阻抗为 物理长度为λ/4；所述第十微带线(31)、第十一微带线(41)的特征阻抗为 物理长度λ/12；所述隔离电阻R＝2*Z0。