1.一种在微织构表面上接枝聚合物单体的制备方法，该制备方法包括如下步骤：

(1)选取基体材料，将基体分解成15×20mm大小的片；

(2)采用激光加工技术在基体表面制备微织构并对表面进行清洗打磨处理；

(3)依次用正己烷、丙酮、乙醇和去离子水分别超声清洗3min，用氮气吹干，将干燥的微织构基体表面放入体积比3:1的浓硫酸与双氧水的120℃混合溶液中浸泡30min，清洗，吹干，放入90℃烘箱处理60min，再用等离子体发生装置对基体表面进行等离子体处理，得到表面富含羟基的微织构基体；

(4)将表面富含羟基的微织构基体浸没到3-(2-溴异丁醇胺基)丙基(三甲氧基)硅烷溶液中，室温下反应12h后取出，依次用甲苯、乙醇、去离子水分别超声清洗3次，每次1-2min，用氮气吹干，得到表面接有3-(2-溴异丁醇胺基)丙基(三甲氧基)硅烷引发剂层的微织构基体；

(5)将N-(4-乙烯基苄基)-N,N-二烷基氨基、3-磺酸丙基甲基丙烯酸钾盐或磺基甜菜碱乙烯基咪唑单体溶液抽真空后使用氮气填充20min，在氮气保护下向单体溶液中注入2.5ml无氧气的三氟乙醇，得到单体混合液；

(6)在氮气保护下，用注射器抽取全部的单体混合液注入含有10mg溴化亚铜与接有引发剂层的微织构基体的试管中，密封试管，室温下震荡反应一定时间后暴露于空气中终止反应，将基体取出，用三氟乙醇清洗15min，再用氮气干燥，得到接有聚合物层的微织构基体表面，即实现了在微织构表面上接枝聚合物单体的制备。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(1)中所述基体材料包括但不限于硅、二氧化硅、不锈钢、铝、铜、碳化硅、氮化硅。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(2)中所述微织构包括但不限于圆、三角形、多边形、网格形、条纹形、箭头形、螺旋线形、文字形、花瓣形、手掌形、头像形的一种或几种组合的深度一致或递变的微凹坑或微凸柱。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(3)中所述等离子体处理电压80-90V，电流0.8-0.9A，处理时间90-120s。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(4)中所述的3-(2-溴异丁醇胺基)丙基(三甲氧基)硅烷溶液的配制方法是将3-(2-溴异丁醇胺基)丙基(三甲氧基)硅烷溶于无水甲苯中，浓度为1mmol/L。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(5)中所述的单体溶液的配制方法是由

0.6g单体、2.5ml去离子水、13μl三(2-二甲氨基乙基)胺混合制得。