1.一种应用于数模转换器的带隙基准电压源，其特征在于，其包括MOS管M1，MOS管M2，电阻R1至R6，晶体管Q1至Q4，低失调运算放大器A1，低失调运算放大器A2，基准电压输出端口Vref。

2.根据权利要求1所述一种应用于数模转换器的带隙基准电压源，其特征在于，MOS管M1的源极连接电源Vdd，MOS管M1的栅极连接低失调运算放大器A1的输出端，MOS管M1的漏极连接电阻R2的上端；

MOS管M2的源极连接MOS管M1的源极，MOS管M2的栅极连接低失调运算放大器A2的输出端，MOS管M2的漏极连接电阻R5的上端；

电阻R1的上端连接电阻R5的上端，电阻R1的下端连接晶体管Q1的基极；

电阻R2的上端连接电阻R3的上端，电阻R2的下端连接晶体管Q1的发射极；

电阻R3的上端连接MOS管M1的漏极，电阻R3的下端连接电阻R4的上端；

电阻R4的上端连接低失调运算放大器A2的反相输入端，电阻R4的下端连接晶体管Q3的发射极；

电阻R5的上端连接基准电压输出端口Vref，电阻R5的下端连接电阻R6的上端；

电阻R6的上端连接低失调运算放大器A1的反相输入端，电阻R6的下端连接晶体管Q3的基极；

低失调运算放大器A1的正相输入端连接晶体管Q2的源极，低失调运算放大器A1的反相输入端连接电阻R5的下端；

低失调运算放大器A2的正相输入端连接晶体管Q1的发射极，低失调运算放大器A2的反相输入端连接电阻R3的下端；

晶体管Q1的发射极连接电阻R2的下端，晶体管Q1的基极连接电阻R1的下端，晶体管Q1的集电极接地；

晶体管Q2的发射极连接晶体管Q1的基极，晶体管Q2的基极接地，晶体管Q2的集电极接地；

晶体管Q3的发射极连接电阻R4的下端，晶体管Q3的基极连接电阻R6的下端，晶体管Q3的集电极接地；

晶体管Q4的发射极连接晶体管Q3的基极，晶体管Q4的基极接地，晶体管Q4的集电极接地。

3.根据权利要求1所述一种应用于数模转换器的带隙基准电压源，其特征在于，低失调运算放大器包括MOS管M3至M12，电阻R7，电阻R8，晶体管Q5，晶体管Q6，恒流源I1，恒流源I2，正相输入端口Vp，反相输入端口Vn，输出端口Vo。

4.根据权利要求3所述一种应用于数模转换器的带隙基准电压源，其特征在于，晶体管Q5的发射极连接恒流源I1的正极，晶体管Q5的基极连接正相输入端口Vp，晶体管Q5的集电极连接电阻R7的上端；

晶体管Q6的发射极连接晶体管Q5的发射极，晶体管Q6的基极连接反相输入端口Vn，晶体管Q6的集电极连接电阻R8的上端；

电阻R7的上端连接MOS管M3的栅极，电阻R7的下端接地；

电阻R8的上端连接MOS管M4的栅极，电阻R8的下端接地；

MOS管M3的源极连接恒流源I2的正极，MOS管M3的栅极连接5号晶体管的集电极，MOS管M3的漏极连接MOS管M11的漏极；

MOS管M4的源极连接MOS管M3的源极，MOS管M4的栅极连接晶体管Q6的集电极，MOS管M4的漏极连接MOS管M12的漏极；

MOS管M5的源极连接电源Vdd，MOS管M5的栅极连接MOS管M6的栅极，MOS管M5的漏极连接MOS管M7的源极；

MOS管M6的源极连接MOS管M5的源极，MOS管M6的栅极连接MOS管M7的漏极，MOS管M6的漏极连接MOS管M8的源极；

MOS管M7的栅极连接MOS管M8的栅极，MOS管M7的漏极连接MOS管M9的漏极；

MOS管M9的漏极连接MOS管M6的栅极，MOS管M9的栅极连接MOS管M10的栅极，MOS管M9的漏极连接MOS管M11的漏极；

MOS管M10的漏极连接MOS管M8的漏极，MOS管M10的栅极连接输出端口Vo，MOS管M10的源极连接MOS管M4的漏极；

MOS管M11的漏极连接MOS管M9的源极，MOS管M11的栅极连接MOS管M12的栅极，MOS管M11的源极接地；

MOS管M12的漏极连接MOS管M10的源极，MOS管M12的源极接地。