1.基于紫外光刻技术的反射式光栅的制作方法，其特征在于，所述反射式光栅包括二氧化硅基底以及在基底上设置的N个楔形光栅单元，并顺序对楔形光栅单元编号为1,2,…,N；其中，单个楔形光栅单元的反射式面宽度为a、光栅常量为d、倾角为β、顶点距基底高为m、顶点到基底垂线的垂点到倾角顶点的距离为b；

该反射式光栅的制作方法包括以下具体步骤：

步骤1，制备二氧化硅基底；

步骤2，第一次紫外光刻：在基底上均匀涂上厚度为m的光刻胶后，将基底由水平状态倾斜 角度后进行紫外光刻，形成n个楔形凹槽，其中， n为编号为奇数的楔形光栅单元个数；

步骤3，第一次溅入二氧化硅：将步骤2光刻完成的基底由水平状态倾斜β角度，在重力作用下向步骤2形成的楔形凹槽内分别溅入二氧化硅，形成编号为奇数的所有楔形光栅单元；

步骤4，去除基底上的光刻胶；

步骤5，第二次紫外光刻：在基底上均匀涂上厚度为m的光刻胶后，将基底由水平状态倾斜 角度后进行紫外光刻，形成n'个楔形凹槽，其中，n'为编号为偶数的楔形光栅单元个数；

步骤6，第二次溅入二氧化硅：将步骤5光刻完成的基底由水平状态倾斜β角度，在重力作用下向步骤5形成的楔形凹槽内分别溅入二氧化硅，形成编号为偶数的所有楔形光栅单元；

步骤7，去除基底上的光刻胶；

步骤8，在刻划好的光栅上镀银并切割成片。

2.根据权利要求1所述的基于紫外光刻技术的反射式光栅的制作方法，其特征在于，该制作方法还包括对切割成片的成品光栅进行质量检测，并对检测不合格的产品进行再次切割。

3.根据权利要求1所述的基于紫外光刻技术的反射式光栅的制作方法，其特征在于，掩膜版的透光区和遮光区宽度均为c·d·sinα，其中，c为紫外图案经过透镜后的缩小倍数。

4.根据权利要求3所述的基于紫外光刻技术的反射式光栅的制作方法，其特征在于，相对于第一次紫外光刻时掩膜版的位置，第二次紫外光刻时掩膜版在刻线的垂直方向移动了一个刻线宽度的数量级，即移动了c·d·sinα。

5.根据权利要求1所述的基于紫外光刻技术的反射式光栅的制作方法，其特征在于，第一次和第二次溅入二氧化硅均在真空下完成。

6.根据权利要求1所述的基于紫外光刻技术的反射式光栅的制作方法，其特征在于，第一次和第二次去除基底上的光刻胶均在冷却之后。

7.根据权利要求1所述的基于紫外光刻技术的反射式光栅的制作方法，其特征在于，步骤1中制备的二氧化硅基底为圆形。