1.一种石墨烯材料，其特征在于，由支撑层粘结基底和石墨烯薄膜层，所述石墨烯薄膜层表面设有至少一层界面修饰薄膜层，所述界面修饰薄膜层的材料为绝缘宽禁带材料或半导体材料，所述界面修饰薄膜层的形成方法为溶液法、真空蒸镀法、溅射法、原子层沉积、电子束或离子束成膜。

2.根据权利要求1所述的一种石墨烯材料，其特征在于，所述石墨烯薄膜层的厚度为

0.1-200nm，制备方法为化学气象沉积法；所述支撑层的材料为聚甲基丙烯酸甲酯；所述基底为玻璃或聚对苯二甲酸乙二酯。

3.根据权利要求1所述的一种石墨烯材料，其特征在于，所述绝缘宽禁带层材料为聚乙烯亚胺、酸、盐、或氧化物中任一种，所述半导体材料为氧化物、硫化物或氟化物。

4.基于权利要求1所述的一种石墨烯材料的修饰方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，基底的清洗

选择基底，使用丙酮与乙醇棉球擦洗，然后用氧等离子体或紫外臭氧处理，再依次用丙酮、乙醇和去离子水分别超声处理1-600s后，100-120℃烘干备用；

步骤2，基底与石墨烯薄膜层的结合

在石墨烯薄膜的一面涂抹支撑层，并将步骤1中的基底与支撑层结合后100-180℃下烘干，30分钟后，用50-75℃丙酮浸泡清洗多余的支撑层的材料，重复1-3次，再用去离子水清洗1-3次后，氮气吹干，待用；

步骤3，界面修饰薄膜层的制备

将界面修饰薄膜层的材料溶解后，旋涂至步骤2中的石墨烯薄膜层的表面，固膜得石墨烯材料。

5.根据权利要求4所述的一种石墨烯材料的修饰方法，其特征在于，步骤1中烘干温度为100℃。

6.根据权利要求4所述的一种石墨烯材料的修饰方法，其特征在于，步骤2中基底与支撑层结合后烘干温度为160℃，所用丙酮的温度为60℃。

7.根据权利要求4所述的一种石墨烯材料的修饰方法，其特征在于，步骤2中支撑层材料的浓度为50 mg·ml-1聚甲基丙烯酸甲酯溶液，旋涂速度为4500rpm。

8.基于权利要求1所述的一种石墨烯材料在柔性光电或电子元器件上的应用。