1.一种基于阻抗网络的半桥逆变器，包括直流电源、二极管、第一开关管及第二开关管，其特征在于，还包括第一电感、第二电感、第一电容、第二电容及第三电容，其中：所述二极管的阳极与所述直流电源的正端连接，所述二极管的阴极分别与所述第一电容的第一端及所述第一电感的第一端连接，所述第一电感的第二端分别与所述第二电容的第一端及所述第一开关管的第一端连接，所述第一开关管的第二端分别与所述第二开关管的第一端及负载的第一端连接，所述第二开关管的第二端分别与所述第一电容的第二端及所述第二电感的第一端连接，所述第二电感的第二端分别与所述直流电源的负端及所述第三电容的第一端连接，所述第三电容的第二端与所述第二电容的第二端连接，其公共端与所述负载的第二端连接。

2.如权利要求1所述的半桥逆变器，其特征在于，所述第一电容的容值等于所述第二电容及所述第三电容串联后的容值。

3.如权利要求2所述的半桥逆变器，其特征在于，所述第一电感的电感值与所述第二电感的电感值相等。

4.如权利要求3所述的半桥逆变器，其特征在于，当所述第一开关管的占空比D1＝0.5，所述第二开关管的占空比D2≥0.5时，所述负载的第一端的电压 所述负载的第二端的电压 其中，Vd为所述直流电源的输出电压。

5.如权利要求3所述的半桥逆变器，其特征在于，当所述第一开关管的占空比D1≥0.5，所述第二开关管的占空比D2＝0.5时，所述负载的第一端的电压 所述负载的第二端的电压 其中，Vd为所述直流电源的输出电压。

6.如权利要求1-5任一项所述的半桥逆变器，其特征在于，所述第一开关管及所述第二开关管均为NMOS，其中，所述第一开关管的第一端及所述第二开关管的第一端均为NMOS的漏极，所述第一开关管的第二端及所述第二开关管的第二端均为NMOS的源极。

7.如权利要求1-5任一项所述的半桥逆变器，其特征在于，所述第一开关管及所述第二开关管均为IGBT，其中，所述第一开关管的第一端及所述第二开关管的第一端均IGBT的集电极，所述第一开关管的第二端及所述第二开关管的第二端均为IGBT的发射极。