1.一种低温硫化氢气敏材料，其特征在于：所述低温硫化氢气敏材料是由连续分布的Cu2O和周期性间隔分布的Co3O4构成的纳米线周期性阵列结构。

2.根据权利要求1所述的低温硫化氢气敏材料，其特征在于：所述低温硫化氢气敏材料是基于Cu2O与Cu2O-Co3O4复合物的横向周期性异质结构有序阵列材料。

3.一种权利要求1所述的低温硫化氢气敏材料的制备方法，其特征在于包括以下步骤：(1)采用去离子水、Cu(NO3)2和Co(NO3)2电解质原材料配置电解液；

(2)在控温生长室内，以表面氧化处理的硅片或玻璃片作为基底，把两片铜箔片电极平行的放在基底上面，在两电极间滴加电解液，盖上盖玻片；

(3)用控温生长室内的制冷元件将电解液制冷结冰，并保持恒温状态放置20-40分钟；

(4)在电极上施加半正弦波形沉积电压使电解质沉积；

(5)沉积结束后取出基底并用去离子水清洗，得到附着在基底上的Cu2O/Co3O4基低温H2S气敏材料。

4.根据权利要求3所述的低温硫化氢气敏材料的制备方法，其特征在于：步骤(1)所述的去离子水：Cu(NO3)2：Co(NO3)2＝5mL：6mM：3mM。

5.根据权利要求4所述的低温硫化氢气敏材料的制备方法，其特征在于：步骤(1)所述的电解液pH值为3.5-4.5。

6.根据权利要求5所述的低温硫化氢气敏材料的制备方法，其特征在于：步骤(2)所述的控温生长室内温度为-4.5℃。

7.根据权利要求6所述的低温硫化氢气敏材料的制备方法，其特征在于：步骤(4)所述的电压幅度为0.5V-1.5V，周期性电压频率为0.2-1.2Hz。