1.一种用于套筒天线具有台状有源区的pin二极管串的制备方法，其特征在于，包括：所述pin二极管串用于制作套筒天线，所述套筒天线包括：半导体基片(1)、pin二极管天线臂(2)、第一pin二极管套筒(3)、第二pin二极管套筒(4)、同轴馈线(5)、直流偏置线(9、10、

11、12、13、14、15、16、17、18、19)；所述制备方法包括步骤：(a)选取SOI衬底；

(b)利用CVD工艺，在所述SOI衬底表面形成第一保护层；

(c)采用第一掩膜版，利用光刻工艺在所述第一保护层上形成有源区图形；

(d)利用干法刻蚀工艺，对所述有源区图形的指定位置四周刻蚀所述第一保护层及所述SOI衬底的顶层Si层从而形成所述台状有源区；

(e)对所述台状有源区四周利用原位掺杂工艺分别淀积P型Si材料和N型Si材料形成P区和N区；

(f)在所述台状有源区四周淀积多晶Si材料；

(g)在所述多晶Si材料表面制作引线、光刻PAD并互连，以形成所述pin二极管串。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(d)之后，还包括：(x1)利用氧化工艺，对所述台状有源区的侧壁进行氧化以在所述台状有源区侧壁形成氧化层；

(x2)利用湿法刻蚀工艺刻蚀所述氧化层以完成对所述台状有源区侧壁的平整化处理。

3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(e)包括：(e1)在整个衬底表面淀积第二保护层；

(e2)采用第二掩膜板，利用光刻工艺在所述第二保护层表面形成P区图形；

(e3)利用湿法刻蚀工艺去除P区图形上的所述第二保护层；

(e4)利用原位掺杂工艺，在所述台状有源区侧壁淀积P型Si材料形成所述P区；

(e5)在整个衬底表面淀积第三保护层；

(e6)采用第三掩膜板，利用光刻工艺在所述第三保护层表面形成N区图形；

(e7)利用湿法刻蚀工艺去除N区图形上的所述第三保护层；

(e8)利用原位掺杂工艺，在所述台状有源区侧壁淀积N型Si材料形成所述N区。

4.如权利要求3所述的制备方法，其特征在于，步骤(e4)包括：(e41)利用原位掺杂工艺，在所述台状有源区侧壁淀积P型Si材料；

(e42)采用第四掩膜版，利用干法刻蚀工艺刻蚀所述P型Si材料以在所述台状有源区的侧壁形成所述P区；

(e43)利用选择性刻蚀工艺去除整个衬底表面的所述第二保护层。

5.如权利要求3所述的制备方法，其特征在于，步骤(e8)包括：(e81)利用原位掺杂工艺，在所述台状有源区侧壁淀积N型Si材料；

(e82)采用第五掩膜版，利用干法刻蚀工艺刻蚀所述N型Si材料以在所述台状有源区的另一侧壁形成所述N区；

(e83)利用选择性刻蚀工艺去除整个衬底表面的所述第三保护层。

6.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(f)包括：(f1)利用CVD工艺，在所述台状有源区四周淀积所述多晶Si材料；

(f2)利用CVD工艺，在整个衬底表面淀积第四保护层；

(f3)利用退火工艺激活所述P区和所述N区中的杂质。

7.如权利要求6所述的制备方法，其特征在于，步骤(g)包括：(g1)采用第六掩膜版，利用光刻工艺在所述第四保护层表面形成引线孔图形；

(g2)利用各向异性刻蚀工艺刻蚀所述第四保护层漏出部分所述多晶Si材料以形成所述引线孔；

(g3)对所述引线孔溅射金属材料以形成金属硅化物；

(g4)钝化处理、光刻PAD并互连，以形成所述pin二极管串。

8.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述pin二极管天线臂(2)、所述第一pin二极管套筒(3)、所述第二pin二极管套筒(4)及所述直流偏置线(9、10、11、12、13、14、15、

16、17、18、19)均制作于所述半导体基片(1)上；所述pin二极管天线臂(2)与所述第一pin二极管套筒(3)及所述第二pin二极管套筒(4)通过所述同轴馈线(5)连接，所述同轴馈线(5)的内芯线(7)连接所述pin二极管天线臂(2)且所述同轴馈线(5)的外导体(8)连接所述第一pin二极管套筒(3)及所述第二pin二极管套筒(4)；

其中，所述pin二极管天线臂(2)包括串行连接的pin二极管串(w1、w2、w3)，所述第一pin二极管套筒(3)包括串行连接的pin二极管串(w4、w5、w6)，所述第二pin二极管套筒(4)包括串行连接的pin二极管串(w7、w8、w9)，每个所述pin二极管串(w1、w2、w3、w4、w5、w6、w7、w8、w9)通过对应的所述直流偏置线(9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19)连接至直流偏置。

9.如权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述pin二极管串(w1、w2、w3、w4、w5、w6、w7、w8、w9)包括pin二极管，所述pin二极管包括P+区(27)、N+区(26)、本征区(22)、P+接触区(23)及N+接触区(24)；所述P+接触区(23)分别连接所述P+区(27)与直流电源的正极，所述N+接触区(24)分别连接所述N+区(26)与直流电源的负极。

10.如权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述P+区(27)及所述N+区(26)的掺杂浓度为0.5×1020～5×1020cm-3。