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专利号: 2016109510032
申请人: 苏州科技大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
更新日期:2026-04-09
缴费截止日期: 暂无
联系人

摘要:

权利要求书:

1.氧化钴量子点-仿生石墨烯高储能电极材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:第一步:植物茎杆的前处理

将植物茎秆原料洗净,备用;将乙醇和超纯水配成混合液,并调节混合液pH为1 4,备~用;将洗净的植物茎秆完全浸泡于所述混合液进行活化处理;

第二步:植物茎杆的后处理

将浸泡过后的植物茎杆取出,然后浸渍于葡萄糖溶液中进行补网处理,取出并洗净,之后置于含铈盐和钴盐的水溶液中,并磁力搅拌,取出洗净并干燥;

第三步:热处理

在氮气保护下,对干燥的植物茎杆进行煅烧热处理,其煅烧热处理条件为:缓慢升温至

700 900 ℃,保温2 h 4 h;

~ ~

第四步:冷却

煅烧结束后,随炉冷却至室温;

第五步:氧化物的原位生长

将冷却后的产物加入含有氨水的超纯水中,搅拌均匀后转移至反应釜中,进行水热反应,反应完毕后,洗涤并干燥,即得氧化钴量子点-仿生石墨烯高储能电极材料;所述水热反应条件为:120 ℃,6 h;所述反应釜的填充率为45% 60%;所述氨水的添加量为1/10 1/15体~ ~积的所述超纯水的体积。

2.根据权利要求1所述氧化钴量子点-仿生石墨烯高储能电极材料的制备方法,其特征在于,在第二步中,所述葡萄糖溶液中葡萄糖的质量分数为5 % 10 %。

~

3.根据权利要求1或2所述氧化钴量子点-仿生石墨烯高储能电极材料的制备方法,其特征在于,在第二步中,所述铈盐和钴盐的物质的量比为1:4。

4.根据权利要求1或2所述氧化钴量子点-仿生石墨烯高储能电极材料的制备方法,其特征在于,所述植物茎秆为油菜花茎杆、玉米茎杆、美人蕉茎杆、风信子茎杆、绿萝茎杆、红掌茎杆中的一种。

5.根据权利要求1或2所述氧化钴量子点-仿生石墨烯高储能电极材料的制备方法,其特征在于,在第二步中,所述水溶液中钴盐的浓度为5 15 g/L,所述植物茎杆与钴盐的质量~比为5 20:1;在第二步中,所述浸渍时间为12 24 h。

~ ~

6.根据权利要求1或2所述氧化钴量子点-仿生石墨烯高储能电极材料的制备方法,其特征在于,在第三步中,所述升温速率为2 ℃/min。

7.根据权利要求1或2所述氧化钴量子点-仿生石墨烯高储能电极材料的制备方法,其特征在于,在第一步中,所述混合液中乙醇和超纯水的体积比为1:3;所述浸泡时间为36 h~

72 h。

8.根据权利要求1或2所述氧化钴量子点-仿生石墨烯高储能电极材料的制备方法,其特征在于,在第二步中,所述磁力搅拌速度为500 1500 r/min,搅拌时间为8 24 h;在第二~ ~步中,所述干燥温度为40 ℃,干燥时间为6-12 h;在第五步中,所述干燥条件为:50 ℃,12 h。

9.氧化钴量子点-仿生石墨烯高储能电极材料,其特征在于,所述电极材料由权利要求

1-8任一项所述的制备方法制备而成。