1.一种全差分电流放大电路，其特征在于，包括电流增益电路和差分输出电路；

电流增益电路，通过相同的两个跨导线性环路，被构造为用于对两路差分输入电流分别进行预设增益的放大或缩小；

与所述电流增益电路连接的差分输出电路，通过对称设置的电流复制电路和电流镜，被构造为用于对放大或缩小后的所述差分输入电流进行平分再作差，输出消除背景电流的差分电流；

所述差分输出电路包括至少一对由两个MOS器件构成的电流镜和至少一对用于构成所述电流复制电路的MOS器件，被构造为用于对放大或缩小后的所述两路差分输入电流进行平分再作差运算；

所述对称设置的电流镜由NMOS管构成，并采用如下结构：第十一NMOS器件NMOS11源极分别连接第十二NMOS器件NMOS12源极、第十三MOS器件M13源极和第十四MOS器件M14源极，并接地；第十二MOS器件M12漏极与栅极短接；第十三MOS器件M13漏极与栅极短接；第十一NMOS器件NMOS11栅极分别连接第十二MOS器件M12栅极、第十三MOS器件M13栅极和第十四MOS器件M14栅极，并作为两个电流镜的第一输入端；第十一NMOS器件NMOS11漏极作为第一电流镜的第二输入端；第十四MOS器件M14漏极作为第二电流镜的第二输入端；

所述电流增益电路包括：第一MOS器件M1、第二MOS器件M2、第三MOS器件M3、第四MOS器件M4构成的第一跨导线性环路，第六MOS器件M6、第七MOS器件M7、第八MOS器件M8和第九MOS器件M9构成的第二跨导线性环路，以及输出相同的增益控制电流IQ的第一恒流源A1和第四恒流源A4，输出相同的用于保证所述MOS器件正常工作的偏置电流IR的第二恒流源A2、第三恒流源A3、第五恒流源A5和第六恒流源A6；

差分放大电路包括：第五MOS器件M5、第十MOS器件M10、第一电流镜和第二电流镜；

其中，第一电流镜与第二电流镜相同且对称设置，两个电流镜的第一输入端相连；

第五MOS器件M5源极与第四MOS器件M4源极相连，第五MOS器件M5栅极与第四MOS器件M4栅极相连，第五MOS器件M5漏极连接所述第一输入端；

第十MOS器件M10源极与第九MOS器件M9源极相连，第十MOS器件M10栅极与第九MOS器件M9栅极相连，第十MOS器件M10漏极连接所述第一输入端；

第一MOS器件M1栅极与第二MOS器件M2源极相连，作为第一跨导线性环路的输入端，接入一路差分输入电流ip；

第四MOS器件M4漏极作为第一跨导线性环路的输出端，与第一电流镜的第二输入端相连，并输出一路差分输出电流io+；

第六MOS器件M6栅极与第七MOS器件M7源极相连，作为第二跨导线性环路的输入端，接入另一路差分输入电流in；

第九MOS器件M9漏极作为第二跨导线性环路的输出端，与第二电流镜的第二输入端相连，并输出另一路差分输出电流io-。

2.如权利要求1所述的全差分电流放大电路，其特征在于，所述的第一MOS器件M1、第二MOS器件M2、第三MOS器件M3、第四MOS器件M4、第五MOS器件M5、第六MOS器件M6、第七MOS器件M7、第八MOS器件M8、第九MOS器件M9和第十MOS器件M10为PMOS器件，所述第一跨导线性环路采用如下结构：第一MOS器件M1源极接入输入电压VDD，并分别连接第四MOS器件M4源极、第二恒流源A2输入端、第三恒流源A3输入端；第一MOS器件M1漏极连接第一恒流源A1输入端，并分别连接第二MOS器件M2栅极和第三MOS器件M3栅极；第一MOS器件M1栅极连接第二MOS器件M2源极和第二恒流源A2输出端，并接入一路差分输入电流ip；

第二MOS器件M2漏极接地，并分别连接第一恒流源A1输出端、第三MOS器件M3漏极；

第三MOS器件M3源极连接第三恒流源A3输出端，并连接第四MOS器件M4栅极。

3.如权利要求1所述的全差分电流放大电路，其特征在于，所述的第一MOS器件M1、第二MOS器件M2、第三MOS器件M3、第四MOS器件M4、第五MOS器件M5、第六MOS器件M6、第七MOS器件M7、第八MOS器件M8、第九MOS器件M9和第十MOS器件M10为NMOS器件，所述第一跨导线性环路采用如下结构：第一MOS器件M1源极接地，并分别连接第四MOS器件M4源极、第二恒流源A2输出端、第三恒流源A3输出端；第一MOS器件M1漏极连接第一恒流源A1输出端，并分别连接第二MOS器件M2栅极和第三MOS器件M3栅极；第一MOS器件M1栅极连接第二MOS器件M2源极和第三恒流源A3输入端，并接入一路差分输入电流ip；

第二MOS器件M2漏极接入输入电压VDD，并分别连接第一恒流源A1输入端、第三MOS器件M3漏极；

第三MOS器件M3源极连接第二恒流源A2输入端，并连接第四MOS器件M4栅极。

4.如权利要求1所述的全差分电流放大电路，其特征在于，构成跨导线性环路的MOS器件的源极与衬底短接。

5.如权利要求1-4任一项所述的全差分电流放大电路，其特征在于，所述多个MOS器件均工作在亚阈值区域。