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专利号: 2016108742371
申请人: 杨露萍
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
更新日期:2026-06-16
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.矮珍珠的组织培养方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)获取外植体并消毒

选取健壮植株新生的幼嫩枝芽,自来水洗涤枝芽表面污垢尘土,先酒精浸泡,再升汞消毒,最后无菌水冲洗干净后得到消毒外植体,(2)初代培养

将消毒外植体分割成带芽茎段,然后接入初代培养基中培养32~36天获得不定芽,初代培养条件为:温度为24±2℃,湿度为63~68%,光照时间为8~10小时/天,光照强度为2200~25001x,初代培养第1~7天,每天施加超声场1~2小时,超声场功率为8~12W/cm2,超声场频率为20~22KHz,初代培养第8~15天,每天施加超声场4~5小时,超声场功率为15~18W/cm2,超声场频率为25~26KHz;

初代培养基为:在ER培养基基础上,再添加碘酸钾0.1~0.5mg/L,添加2,4-D 0.6~

0.8mg/L,添加多效唑1.2~1.3mg/L;

(3)继代培养

将不定芽转移至继代培养基中培养40~45天获得继代培养苗,继代培养条件为:温度为24±2℃,湿度为70~75%,光照时间为10~12小时/天,光照强度为2800~32001x,继代培养基为:在MS培养基基础上,先将硝酸铵的浓度调整为1200~1300mg/L,另外再添加尿素100~120mg/L,添加ABA3~3.5mg/L,添加吲哚乙酸0.5~0.8mg/L,添加谷氨酰胺

5.0~5.5mg/L,添加活性炭200~300mg/L;

(4)生根培养

将继代培养苗转移至生根培养基中培养20~25天得到矮珍珠幼苗,生根培养条件为:温度为30±2℃,湿度为40~50%,光照时间为12~15小时/天,光照强度为3500~42001x,生根培养基为:在N6培养基基础上,另外再添加钼酸铵0.01~0.02mg/L,添加TDZ 1.5~

2.0mg/L,添加支链淀粉130~150mg/L,用氢氧化钠调节pH为7.0~7.2;

(5)炼苗和移栽

生根培养结束后,打开培养瓶盖,在自然光下进行开瓶练苗5~7天,然后将矮珍珠幼苗用清水多次冲洗去除残留培养基,移栽至自然水体中。